[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201310608316.4
• 申請日: 2013-11-25
• 公開（公告）號: CN104659281A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;陳吉星;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機電致發光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、散射層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述散射層由三元摻雜層和空穴傳輸材料摻雜層組成，所述三元摻雜層包括發光材料，有機硅小分子材料及銅的化合物材料，所述發光材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種，所述有機硅小分子材料的能隙為-3.5eV～-5.5eV，所述銅的化合物材料選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中至少一種，所述空穴傳輸材料摻雜層包括空穴傳輸材料及摻雜在所述空穴傳輸材料中的鎂的化合物材料，所述空穴傳輸材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺中至少一種，所述鎂的化合物材料選自氟化鎂、氧化鎂、氯化鎂及硫化鎂中至少一種。

2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述三元摻雜層的厚度為300nm～600nm，所述空穴傳輸材料摻雜層的厚度為100nm～300nm。

3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述三元摻雜層中發光材料，有機硅小分子材料與銅的化合物材料的質量比為（4～15）:（1～5）：1，所述空穴傳輸材料摻雜層中所述空穴傳輸材料與所述鎂的化合物材料的質量比為7:1～18:1。

4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述有機硅小分子材料選自二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-雙（三苯基硅）苯及p-雙（三苯基硅）苯中至少一種。

5.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在玻璃基底表面蒸鍍制備散射層，所述散射層由三元摻雜層和空穴傳輸材料摻雜層組成，在所述玻璃基底表面采用電子束蒸鍍制備三元摻雜層，所述三元摻雜層包括發光材料，有機硅小分子材料及銅的化合物材料，所述發光材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種，所述有機硅小分子材料的能隙為-3.5eV～-5.5eV，所述銅的化合物材料選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中至少一種，在所述三元摻雜層表面通過熱阻蒸鍍制備所述空穴傳輸材料摻雜層，所述空穴傳輸材料摻雜層包括空穴傳輸材料及摻雜在所述空穴傳輸材料中的鎂的化合物材料，所述空穴傳輸材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺中至少一種，所述鎂的化合物材料選自氟化鎂、氧化鎂、氯化鎂及硫化鎂中至少一種；

在所述散射層表面磁控濺射制備陽極，所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物；及

在所述陽極的表面依次蒸鍍制備穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。

6.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述三元摻雜層的厚度為300nm～600nm，所述空穴傳輸材料摻雜層的厚度為100nm～300nm。

7.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述三元摻雜層中發光材料，有機硅小分子材料與銅的化合物材料的質量比為（4～15）:（1～5）：1，所述空穴傳輸材料摻雜層中所述空穴傳輸材料與所述鎂的化合物材料的質量比為7:1～18:1。

8.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述有機硅小分子材料選自二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-雙（三苯基硅）苯及p-雙（三苯基硅）苯中至少一種。