[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310608316.4
• 申請日: 2013-11-25
• 公開（公告）號: CN104659281A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周明杰;黃輝;陳吉星;王平
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/54
• 分類號: H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

有機電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道（LUMO），而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道（HOMO）。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。

在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差（如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達玻璃，就會發(fā)生全反射），引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種出光效率較高的有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、散射層、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述散射層由三元摻雜層和空穴傳輸材料摻雜層組成，所述三元摻雜層包括發(fā)光材料，有機硅小分子材料及銅的化合物材料，所述發(fā)光材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種，所述有機硅小分子材料的能隙為-3.5eV～-5.5eV，所述銅的化合物材料選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中至少一種，所述空穴傳輸材料摻雜層包括空穴傳輸材料及摻雜在所述空穴傳輸材料中的鎂的化合物材料，所述空穴傳輸材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺中至少一種，所述鎂的化合物材料選自氟化鎂、氧化鎂、氯化鎂及硫化鎂中至少一種。

所述三元摻雜層的厚度為300nm～600nm，所述空穴傳輸材料摻雜層的厚度為100nm～300nm。

所述三元摻雜層中發(fā)光材料，有機硅小分子材料與銅的化合物材料的質(zhì)量比為（4～15）:（1～5）：1，所述空穴傳輸材料摻雜層中所述空穴傳輸材料與所述鎂的化合物材料的質(zhì)量比為7:1～18:1。

所述有機硅小分子材料選自二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-雙（三苯基硅）苯及p-雙（三苯基硅）苯中至少一種。

一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

在玻璃基底表面蒸鍍制備散射層，所述散射層由三元摻雜層和空穴傳輸材料摻雜層組成，在所述玻璃基底表面采用電子束蒸鍍制備三元摻雜層，所述三元摻雜層包括發(fā)光材料，有機硅小分子材料及銅的化合物材料，所述發(fā)光材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中至少一種，所述有機硅小分子材料的能隙為-3.5eV～-5.5eV，所述銅的化合物材料選自碘化亞銅、氧化亞銅、酞菁銅及氧化銅中至少一種，在所述三元摻雜層表面通過熱阻蒸鍍制備所述空穴傳輸材料摻雜層，所述空穴傳輸材料摻雜層包括空穴傳輸材料及摻雜在所述空穴傳輸材料中的鎂的化合物材料，所述空穴傳輸材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺中至少一種，所述鎂的化合物材料選自氟化鎂、氧化鎂、氯化鎂及硫化鎂中至少一種；

在所述散射層表面磁控濺射制備陽極，所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物；及

在所述陽極的表面依次蒸鍍制備穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。

所述三元摻雜層的厚度為300nm～600nm，所述空穴傳輸材料摻雜層的厚度為100nm～300nm。

所述三元摻雜層中發(fā)光材料，有機硅小分子材料與銅的化合物材料的質(zhì)量比為（4～15）:（1～5）：1，所述空穴傳輸材料摻雜層中所述空穴傳輸材料與所述鎂的化合物材料的質(zhì)量比為7:1～18:1。

所述有機硅小分子材料選自二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-雙（三苯基硅）苯及p-雙（三苯基硅）苯中至少一種。