[發明專利]一種具有高并聯電阻的晶體硅太陽能電池的鍍膜方法

有效

• 申請號: 201310605978.6
• 申請日: 2013-11-26
• 公開（公告）號: CN103602961A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 晏海剛;楊廣偉;許志衛;鄭張安;劉月敏
• 申請（專利權）人: 晶澳太陽能有限公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52;C23C16/455
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波

技術領域

本發明屬于太陽能電池領域，具體涉及一種具有高并聯電阻的晶體硅太陽能電池的鍍膜方法。?

背景技術

目前，晶體硅太陽能電池片的制備過程包括制絨、磷擴散、刻邊、鍍鈍化膜、印刷正電極和負電極等工序，其中鍍減反射膜在整個太陽能電池片生產過程中起著一個非常重要的作用。?

現階段晶體硅太陽能電池片正在向提升效率及25年功率損失保障這一方向發展，而電池片的效率衰減及功率損失的直接影響因素就是鍍膜階段，在這一階段最主要的因素是鍍膜對并聯電阻的影響。鍍膜目前一般采用板式PECVD和管式PECVD，其中管式PECVD鍍膜后的太陽能電池片的并聯電阻要遠遠低于板式PECVD鍍膜后的太陽能電池片的并聯電阻，管式PECVD鍍膜后的電池并聯電阻在100Ω左右，板式PECVD鍍膜后的電池并聯電阻在400Ω左右，這樣晶體硅太陽能電池片中管式PECVD鍍膜片的效率衰減要大于板式PECVD鍍膜片，對晶體硅電池片效率及功率損失造成很大影響。?

現有技術中，為了保持鍍膜顏色的均勻性，一般電離特氣（特殊氣體，通常為氨氣和硅烷）時的脈沖關斷時間為33或36μs，為了保證鍍膜產能，所以在電離步驟的功率一般為4000-4500W、溫度一般在450℃左右，整個鍍膜過程中，一般不會考慮到鍍膜對太陽能電池并聯電阻的影響。?

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種具有高并聯電阻的晶體硅太陽能電池的鍍膜方法，該方法能解決現有技術中采用管式PECVD鍍膜制得的晶體太陽能電池的并聯電阻偏低的問題，提高晶體硅片太陽能電池的并聯電阻。?

本發明所要解決的技術問題是通過如下技術方案來實現的：一種具有高并聯電阻的晶體硅太陽能電池的鍍膜方法，包括采用管式PECVD沉積減反射膜，管式PECVD鍍膜時爐體內溫度從爐口到爐尾依次設定為：380~420℃、370~410℃、360~400℃、360~400℃、360~400℃。?

在整個工藝過程中，溫度從爐口到爐尾依次都設定為：380~420℃、370~410℃、360~400℃、360~400℃、360~400℃，這樣就能保證整個工藝過程中溫度的穩定性，使整個工藝過程中，把溫度作為一個定量，在調整藍膜厚度和藍膜折射率時，不用考慮溫度的影響，為調試提供方便。?

在本發明中，整個鍍膜工藝過程中溫度較普通工藝溫度要低，主要是考慮到，在較高溫度下硅片及邊沿更容易受到影響，猶如在磷擴散階段一樣。但是由于鍍膜階段溫度要遠遠低于磷擴散時的溫度，所以鍍膜過程中，溫度對鍍膜片表面影響較小，幾乎看不出來，但是對鍍膜片的邊沿的影響就能體現出來，這樣就比較容易造成邊沿P結與N結聯通，造成邊沿漏電，使電池片的并聯電阻變小。?

作為本發明的改進：為了在降低溫度下不影響藍膜厚度及薄膜厚度的均勻性，所以將脈沖關斷時間減少，同時增加鍍膜時電離特氣時的功率，將管式PECVD鍍膜電離特殊氣體時的功率調節為4500~5500W，此功率的脈沖關斷時間為30μs。?

功率的增加及脈沖關斷時間調整為30μs可使特殊氣體電離的更加充分，彌補因降低整個鍍膜工藝過程中溫度而增加的電離特殊氣體時間，使整個工藝過程所用時間在溫度改變前后沒有變化。?

作為本發明的進一步改進，本發明在管式PECVD鍍膜時爐體中除了原有特殊氣體氨氣和硅烷外增加一種穩壓氣體，所述穩壓氣體為氮氣，所述氮氣的流量為8~12slm（每分鐘標準升），因為脈沖關斷時間調整為30μm，所以要想使鍍膜片藍膜厚度在片內均勻性得到保證，必須增加一種不參與電離且能夠作為載氣的氣體去使電離氣體在爐管內處處均勻，保持爐管內在電離特殊氣體階段壓力處處均衡，所以選用價格相對便宜且不影響藍膜品質的氮氣作為穩壓氣體。?

與現有技術相比，本發明具有如下有益效果：?

（1）本發明通過降低鍍膜的溫度，能夠提高晶體硅片的并聯電阻到400Ω(歐姆)左右；

（2）本發明通過增加管式PECVD裝置的功率和降低脈沖關斷時間，保證了降低整個鍍膜工藝過程的溫度后時間沒有變化。

（3）本發明通過在管式PECVD裝置中增加穩壓氣體氮氣，可以使鍍膜硅片不同位置與電離氣體接觸的比較均勻，通過氮氣的加入，鍍膜片的藍膜厚度的均勻性非常好，不會出現單個硅片上顏色不同的問題。?

附圖說明

圖1是本發明提供的管式PECVD裝置的結構示意圖；?

圖2是本發明實施例1提供的PECVD裝置鍍膜時溫度變化示意圖。

具體實施方式