[發明專利]一種具有高并聯電阻的晶體硅太陽能電池的鍍膜方法

有效

• 申請號: 201310605978.6
• 申請日: 2013-11-26
• 公開（公告）號: CN103602961A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 晏海剛;楊廣偉;許志衛;鄭張安;劉月敏
• 申請（專利權）人: 晶澳太陽能有限公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52;C23C16/455
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波

1.一種具有高并聯電阻的晶體硅太陽能電池的鍍膜方法，包括采用管式PECVD沉積減反射膜，其特征是：管式PECVD鍍膜時爐體內溫度從爐口到爐尾依次設定為：380~420℃、370~410℃、360~400℃、360~400℃、360~400℃。

2.根據權利要求1所述的具有高并聯電阻的晶體硅太陽能電池的鍍膜方法，其特征是：采用管式PECVD鍍膜時電離特殊氣體時間段的功率為4500~5500W，電離特殊氣體時間段的脈沖關斷時間為30μs。

3.根據權利要求1或2所述的具有高并聯電阻的晶體硅太陽能電池的鍍膜方法，其特征是：在管式PECVD鍍膜時爐體中增加一種穩壓氣體，所述穩壓氣體為氮氣，所述氮氣的流量為8~12slm。