[發明專利]高頻裝置

有效

• 申請號: 201310604642.8
• 申請日: 2013-11-26
• 公開（公告）號: CN103887269A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 三輪真一;今井翔平;服部公春;吉岡貴章
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L25/07;H01L23/12
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

技術領域

本發明涉及例如控制用于衛星通信、地面微波通信、或者移動體通信等的高頻信號的高頻裝置。

背景技術

在專利文獻1中公開了具備饋通部的微波集成電路裝置。該微波集成電路裝置的饋通部的特性阻抗為50Ω。

專利文獻

專利文獻1：日本特開平8-288701號公報。

發明內容

例如，具有用于基站的發送部的功率放大器的高頻裝置為了削減匹配電路基板的數量，有時采用僅僅安裝了功率放大用的FET芯片的分立(discrete)構成、或者僅僅安裝了FET芯片和預匹配(prematch)基板的部分匹配(partial?match)構成。此時優選使饋通部的阻抗為所希望的值(例如50Ω)。因此，配合所使用的半導體芯片、匹配電路，以能夠進行阻抗匹配的方式設計高頻裝置的外形以及饋通部。

在設計以及試制高頻裝置的外形以及饋通部之后，無法容易地變更饋通部的阻抗。因此，當變更了半導體芯片、匹配電路的構成時難以實現最佳的匹配條件，存在高頻裝置的性能降低的問題。

本發明為了解決如上所述的問題而完成，目的在于通過對高頻裝置的饋通部附加阻抗的調節功能從而提供能夠容易地進行阻抗匹配的高頻裝置。

本發明所涉及的高頻裝置的特征在于，具備：底座板，具有主面；電介質，以沿著該底座板的一個側面的方式形成于該主面；信號線，在該電介質上以從該一個側面側向該主面的中央部延伸的方式形成；島形圖案，在該電介質上的該信號線旁邊以從該一個側面側向該中央部延伸并且不與該信號線相接的方式由金屬形成；金屬框，具有與該主面相接的接觸部、和經由形成于該信號線的一部分以及該島形圖案的一部分的追加電介質而在該信號線以及該島形圖案上形成的橋狀部，該接觸部與該橋狀部作為整體包圍該中央部；引線框，與外側信號線連接，該外側信號線是該信號線中位于該金屬框外側的部分；半導體芯片，固定于該中央部；以及第一金屬線，連接該半導體芯片與內側信號線，該內側信號線是該信號線中被該金屬框包圍的部分。

本發明所涉及的其他高頻裝置的特征在于，具備：底座板，具有主面；電介質，具有以沿著該底座板的一個側面的方式形成于該主面的第一電介質、和與該第一電介質的該主面的中央部相接且與該第一電介質厚度不同的第二電介質；信號線，在該第一電介質和該第二電介質上一體地形成；金屬框，具有與該主面相接的接觸部、和經由形成于該信號線的一部分的追加電介質而在該信號線上形成的橋狀部，該接觸部與該橋狀部作為整體包圍該中央部；引線框，與該信號線中位于該金屬框的外側的部分連接；半導體芯片，固定于該中央部；金屬線，連接該半導體芯片與該信號線中被該金屬框包圍且形成于該第一電介質上的部分或者該信號線中該第二電介質上的部分。

本發明所涉及的其他高頻裝置的特征在于，具備：底座板，具有主面；下層電介質，以沿著該底座板的一個側面的方式形成于該主面；中間金屬，在該下層電介質上形成；上層電介質，以使該中間金屬的表面的一部分露出于外部的方式形成于該中間金屬上，與該下層電介質厚度不同；信號線，在該上層電介質上形成；金屬框，具有與該主面相接的接觸部、和經由形成于該信號線的一部分的追加電介質而在該信號線上形成的橋狀部，該接觸部與該橋狀部作為整體包圍該中央部；引線框，與該信號線中位于該金屬框外側的部分連接；半導體芯片，固定于該中央部；第一金屬線，連接該半導體芯片與該信號線中被該金屬框包圍的部分；以及追加金屬線，連接該信號線與該中間金屬、或者該中間金屬與該底座板。

本發明所涉及的其他高頻裝置的特征在于，具備：底座板，具有主面；電介質，以沿著該底座板的一個側面的方式形成于該主面；信號線，在該電介質上以從該一個側面側向該主面的中央部延伸的方式形成，在該中央部側具有形成為梳齒狀的梳齒部；追加金屬部，在該電介質上的、該梳齒部的梳齒之間，與該信號線不相接且與該底座板電連接；金屬框，具有與該主面相接的接觸部和經由形成于該信號線中與該梳齒部相比靠該一個側面側的部分的追加電介質而在該信號線上形成的橋狀部，該接觸部與該橋狀部作為整體包圍該中央部；引線框，與該信號線中位于該金屬框外側的部分連接；半導體芯片，具有電連接于該底座板的接地焊盤，固定于該中央部；以及第一金屬線，連接該半導體芯片與該梳齒部。

發明的效果

根據本發明，通過對高頻裝置的饋通部附加阻抗的調節功能，能夠容易地進行阻抗匹配。

附圖說明

圖1是本發明的實施方式1所涉及的高頻裝置的俯視圖；

圖2是沿著圖1的虛線的截面圖；

圖3是沿著圖1的單點劃線的截面圖；