[發明專利]一種制備光學防偽元件的方法

有效

• 申請號: 201310598261.3
• 申請日: 2013-11-22
• 公開（公告）號: CN104057747A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: 胡春華;吳遠啟;周赟;張寶利;張巍巍
• 申請（專利權）人: 中鈔特種防偽科技有限公司;中國印鈔造幣總公司
• 主分類號: B42D25/30
• 分類號: B42D25/30;B42D25/40
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 陳瀟瀟;肖冰濱

技術領域

本發明涉及光學防偽領域，尤其涉及一種制備光學防偽元件的方法。

背景技術

為了防止利用掃描和復印等手段產生的偽造，鈔票、信用卡、護照、有價證券和產品包裝等各類高安全或高附加值印刷品中廣泛采用了光學防偽技術，并且取得了非常好的效果。

為了增加防偽圖像的亮度，光學防偽原件一般采用金屬反射層。為了增加防偽的效果，金屬反射層需要進行鏤空形成特定的圖案。現有技術中，對金屬反射層進行鏤空一般有兩種方法，一種是水洗去金屬法，另外一種是堿洗去金屬法。這兩種金屬反射層鏤空方法中，需要將水洗膠層或者保護層與膜上的微結構的光學圖像進行套印對準，而現有設備的套印誤差比較大，因此不能得到連續化的、準確定位的鏤空光學圖像。

專利申請CN102460236A提出一種去反射層解決方案。首先，提供含有平坦的或深寬比小的凹凸結構的第一起伏結構區域和含有深寬比更大的凹凸結構的第二起伏結構區域的起伏結構層。接著，在該起伏結構層上，以均勻的表面密度形成金屬反射層。然后，在金屬反射層上蒸鍍不同于金屬反射層材料的掩膜層，掩膜層一般由無機化合物構成，典型的例如為MgF₂。掩膜層的厚度需滿足以下條件：在第一起伏結構區域覆蓋有完整連續的掩膜層，而第二起伏結構區域的掩膜層在凹部或凸部之間有開口。接著，將掩模層暴露于可與金屬反射層材料反應的氣體或液體中。這樣，與第二起伏結構區域對應的金屬反射層和掩膜層均被除去，而與第一起伏結構區域對應的金屬反射層得以完整保留。但是，做到第二起伏結構區域的掩膜層具有開口結構、同時第一起伏結構區域的掩膜層保持完整連續是非常困難的。事實上，蒸鍍無機化合物材料形成的掩膜層的致密性往往不好，會形成孔洞結構，因此第一起伏結構區域的部分反射層還是會在最后的去反射層工藝中遭到損壞，形成微小的空洞缺陷。另外，該方法形成的MgF₂為微片狀結構，因此得到的去反射層圖像邊緣不細致，并且無法形成極精細的圖像，例如尺寸小于10微米。

發明內容

本發明針對現有技術中在制備光學防偽元件時效率低、質量難控、不能精細準確地定位去反射層鏤空等缺陷，提供一種能夠克服這些缺陷的制備光學防偽元件的方法。

本發明提供一種制備光學防偽元件的方法，該方法包括：

提供薄膜材料，該薄膜材料至少包括依次層疊的支撐層、模壓層和鍍層；

對所述薄膜材料進行壓印，以形成至少第一起伏結構區域和第二起伏結構區域，其中所述第一起伏結構區域中的鍍層的頂部和/或底部具有開口，所述第二起伏結構區域中的鍍層中沒有開口；

將所述薄膜材料置于能與所述鍍層和/或所述模壓層進行反應的去鍍層氛圍中，直到所述第一起伏結構區域中的鍍層被去除而所述第二起伏結構區域中的鍍層仍然保留所需厚度為止。

根據本發明的方法的原理如下：在壓印步驟之后，第一起伏結構區域中的鍍層的頂部和/或底部具有開口，這樣，去鍍層氛圍可以通過開口進入該區域中的鍍層與模壓層的界面以與該區域中的鍍層和/或模壓層進行反應（物理反應或化學反應均可），從而破壞該區域中鍍層與模壓層之間的附著牢度，然后在外界物理因素的輔助作用（比如水的沖洗）下，該區域中的鍍層從模壓層上去除；而第二起伏結構區域中的鍍層中是沒有開口的，所以雖然該區域中的鍍層也可能會與去鍍層氛圍進行反應，但是由于該反應只會使得該區域中的鍍層厚度變薄但不會導致該區域中的鍍層完全消失，所以在去鍍層步驟之后，該區域中的鍍層仍然存在，從而實現了鏤空。因此，第一起伏結構區域中的鍍層的去除，本質上是通過破壞該鍍層與模壓層之間的附著牢度而實現的，這不同于現有技術中的去鍍層技術，即鍍層是被腐蝕而被去除的。

附圖說明

圖1是一種示例性光學防偽元件的俯視圖；

圖2是沿著圖1中的X-X線看到的一種可能的剖面圖；以及

圖3至圖6是根據本發明的制備光學防偽元件的方法的流程剖面圖。

具體實施方式

為了使本領域技術人員能夠更好地理解本發明的技術方案，下面將結合附圖來詳細描述根據本發明的制備光學防偽元件的方法的流程。