[發(fā)明專利]一種制備光學防偽元件的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310598261.3 | 申請日： | 2013-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN104057747A | 公開（公告）日： | 2014-09-24 |
| 發(fā)明（設計）人： | 胡春華;吳遠啟;周赟;張寶利;張巍巍 | 申請（專利權(quán)）人： | 中鈔特種防偽科技有限公司;中國印鈔造幣總公司 |
| 主分類號： | B42D25/30 | 分類號： | B42D25/30;B42D25/40 |
| 代理公司： | 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人： | 陳瀟瀟;肖冰濱 |
| 地址： | 100070 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 制備 光學 防偽 元件 方法 | ||
1.一種制備光學防偽元件的方法，該方法包括：
提供薄膜材料，該薄膜材料至少包括依次層疊的支撐層、模壓層和鍍層；
對所述薄膜材料進行壓印，以形成至少第一起伏結(jié)構(gòu)區(qū)域和第二起伏結(jié)構(gòu)區(qū)域，其中所述第一起伏結(jié)構(gòu)區(qū)域中的鍍層的頂部和/或底部具有開口，所述第二起伏結(jié)構(gòu)區(qū)域中的鍍層中沒有開口；
將所述薄膜材料置于能與所述鍍層和/或所述模壓層進行反應的去鍍層氛圍中，直到所述第一起伏結(jié)構(gòu)區(qū)域中的鍍層被去除而所述第二起伏結(jié)構(gòu)區(qū)域中的鍍層仍然保留所需厚度為止。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，與所述第二起伏結(jié)構(gòu)區(qū)域相比，所述第一起伏結(jié)構(gòu)區(qū)域中的鍍層的橫截面的頂部和/或底部具有更大的曲率。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一起伏結(jié)構(gòu)區(qū)域具有鋸齒形結(jié)構(gòu)、矩形光柵結(jié)構(gòu)、梯形光柵結(jié)構(gòu)中的至少一者或其組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，與所述第二起伏結(jié)構(gòu)區(qū)域相比，所述第一起伏結(jié)構(gòu)區(qū)域的深寬比更大。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述第一起伏結(jié)構(gòu)區(qū)域的深寬比大于0.3。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一起伏結(jié)構(gòu)區(qū)域的深度位于80nm～6000nm的范圍內(nèi)、寬度位于100nm～3000nm的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述鍍層是單層鍍層和多層鍍層中的至少一者或其組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述單層鍍層為金屬鍍層，且該金屬鍍層的光學密度大于1.3但小于3。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，在所述鍍層為所述多層鍍層時，所述模壓層和/或所述多層鍍層中與所述模壓層鄰接的層能夠與所述去鍍層氛圍進行反應而所述多層鍍層中的其他層不與所述去鍍層氛圍進行反應；在所述鍍層為所述單層鍍層時，所述模壓層和/或所述單層鍍層能夠與所述去鍍層氛圍進行反應。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述支撐層與所述模壓層之間具有剝離層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述模壓層由在一定溫度和壓力下能夠變形的材料形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括：在去除所述第一起伏結(jié)構(gòu)區(qū)域中的鍍層之后，在所述鍍層上形成保護層和/或功能涂層。
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