[發明專利]一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 201310597754.5
• 申請日: 2013-11-21
• 公開（公告）號: CN103605242A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 徐向陽
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，具體地，涉及一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置。

背景技術

液晶顯示器（LCD：Liquid?Crystal?Display）因其體積小、功耗低、無輻射等特點已成為目前平板顯示器中的主流產品。目前，隨著液晶顯示器技術的不斷更新換代，高品質的液晶顯示器成為各個生產廠家一致追求的目標。

陣列基板是液晶顯示器的重要組成部分，也是用來顯示的關鍵組件。在陣列基板的制備過程中，常常會由于制備工藝中存在的一些客觀缺陷導致陣列基板出現某些質量問題。

如針對HADS（High?Advanced?Super?Dimension?Switch,高開口率高級超維場轉換技術）模式的液晶顯示器陣列基板，柵絕緣層通常采用化學氣相沉積的方法形成在柵極的上方，有源層采用化學氣相沉積的方法形成在柵絕緣層上；源極、漏極和數據線采用濺鍍（Sputter）的方法形成在柵絕緣層上，且源極和漏極分別有一部分覆疊在柵絕緣層上，另一部分覆疊在有源層上，源極、漏極和數據線一般采用純金屬材料（如鉻、鋁、銅、鉬等）制成。由于化學氣相沉積時容易使柵絕緣層表面和有源層表面形成顆粒狀（Particle）的表面，容易導致源極和漏極與有源層的接觸不夠充分，從而使源極和漏極與有源層之間的接觸勢壘增大或者兩者之間接觸不穩定；或者，顆粒狀的表面會直接導致源極、漏極和數據線在金屬濺鍍時其膜層中形成小缺口，從而使制備完成的源極、漏極和數據線出現斷路。

另外，由于源極、漏極和數據線相對像素區其他區域的斷差較大，而它們的純金屬材質柔韌性和致密性又比較差，所以在其制備過程中也容易形成斷路。源極、漏極和數據線的斷路會直接導致陣列基板無法正常顯示，嚴重影響陣列基板乃至整個顯示裝置的品質。

發明內容

本發明針對現有技術中存在的上述技術問題，提供了一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置。該陣列基板中的電極結構通過設置襯底電極，使該電極結構更具致密性和柔韌性。該陣列基板通過在金屬材料制成的本體電極下方設置襯底電極，使本體電極能夠與柵絕緣層或有源層緊密接觸，從而不容易在本體電極內部形成小缺口，進而避免了本體電極出現斷路，保證了陣列基板的品質。

本發明提供一種陣列基板，包括襯底基板以及設置于所述襯底基板上方的多個電極結構，所述電極結構包括采用金屬材料制成的本體電極，所述電極結構還包括：

襯底電極，所述襯底電極采用透明金屬氧化物材料制成；

所述襯底電極位于所述本體電極下方，且在正投影方向上與所述本體電極部分或完全重疊；

所述襯底電極與所述本體電極電連接。

優選的，制成所述本體電極的金屬材料包括鉻、鉬、鋁、銅、釹鋁合金或鋁鉬合金，制成所述襯底電極的透明金屬氧化物材料包括氧化銦錫或摻銦氧化鋅。

優選的，所述陣列基板包括顯示區，多條交叉設置的柵線和數據線將所述顯示區劃分為多個像素區域，所述像素區域內設置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、源極和漏極，所述源極與所述數據線電連接；所述電極結構設置于所述顯示區，所述本體電極包括所述數據線、所述源極和所述漏極中的至少一種。

優選的，所述顯示區內還設置有用于起修復作用的備用電極，所述本體電極還包括備用電極。

優選的，所述顯示區內還設置有像素電極和公共電極，所述像素電極和所述公共電極在正投影方向上至少部分重疊，所述襯底電極與處于相對下層的所述像素電極或所述公共電極設置在同一層；所述像素電極與所述漏極電連接；所述陣列基板中還設置有公共電極線，所述公共電極線與所述公共電極電連接。

優選的，處于相對上層的所述像素電極或所述公共電極具有狹縫狀結構；處于相對下層的所述像素電極或所述公共電極具有狹縫狀結構或板狀結構。

本發明還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。

本發明還提供一種陣列基板的制備方法，包括：在襯底基板上方形成多個電極結構，采用金屬材料制成所述電極結構中的本體電極，采用透明金屬氧化物材料制成所述電極結構中的襯底電極，所述襯底電極形成在所述本體電極的下方；所述襯底電極和所述本體電極通過一次構圖工藝形成；或者，所述襯底電極和所述本體電極通過兩次構圖工藝分別形成，所述襯底電極與所述本體電極電連接。

優選的，該方法包括：

步驟S1：通過構圖工藝，在所述襯底基板上形成包括柵極和柵線的圖形，所述柵極和所述柵線采用相同材料制成；

步驟S2：通過一次構圖工藝，在完成所述步驟S1的所述襯底基板上形成包括有源層和柵絕緣層的圖形；