[發明專利]一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 201310597754.5
• 申請日: 2013-11-21
• 公開（公告）號: CN103605242A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: 徐向陽
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

1.一種陣列基板，包括襯底基板以及設置于所述襯底基板上方的多個電極結構，所述電極結構包括采用金屬材料制成的本體電極，其特征在于，所述電極結構還包括：

襯底電極，所述襯底電極采用透明金屬氧化物材料制成；

所述襯底電極位于所述本體電極下方，且在正投影方向上與所述本體電極部分或完全重疊；

所述襯底電極與所述本體電極電連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，制成所述本體電極的金屬材料包括鉻、鉬、鋁、銅、釹鋁合金或鋁鉬合金，制成所述襯底電極的透明金屬氧化物材料包括氧化銦錫或摻銦氧化鋅。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括顯示區，多條交叉設置的柵線和數據線將所述顯示區劃分為多個像素區域，所述像素區域內設置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、源極和漏極，所述源極與所述數據線電連接；所述電極結構設置于所述顯示區，所述本體電極包括所述數據線、所述源極和所述漏極中的至少一種。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述顯示區內還設置有用于起修復作用的備用電極，所述本體電極還包括備用電極。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述顯示區內還設置有像素電極和公共電極，所述像素電極和所述公共電極在正投影方向上至少部分重疊，所述襯底電極與處于相對下層的所述像素電極或所述公共電極設置在同一層；所述像素電極與所述漏極電連接；所述陣列基板中還設置有公共電極線，所述公共電極線與所述公共電極電連接。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，處于相對上層的所述公共電極或所述像素電極具有狹縫狀結構；處于相對下層的所述像素電極或所述公共電極具有狹縫狀結構或板狀結構。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-6中任意一項所述的陣列基板。

8.一種陣列基板的制備方法，包括：在襯底基板上方形成多個電極結構，采用金屬材料制成所述電極結構中的本體電極，其特征在于，采用透明金屬氧化物材料制成所述電極結構中的襯底電極，所述襯底電極形成在所述本體電極的下方；所述襯底電極和所述本體電極通過一次構圖工藝形成；或者，所述襯底電極和所述本體電極通過兩次構圖工藝分別形成，所述襯底電極與所述本體電極電連接。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，該方法包括：

步驟S1：通過構圖工藝，在所述襯底基板上形成包括柵極和柵線的圖形，所述柵極和所述柵線采用相同材料制成；

步驟S2：通過一次構圖工藝，在完成所述步驟S1的所述襯底基板上形成包括有源層和柵絕緣層的圖形；

步驟S3：通過一次構圖工藝，在完成所述步驟S2的所述襯底基板上形成包括所述襯底電極和處于相對下層的像素電極或公共電極的圖形，所述襯底電極與處于相對下層的所述像素電極或所述公共電極采用相同材料制成；

步驟S4：通過一次構圖工藝，在完成所述步驟S3的所述襯底基板上形成包括所述本體電極的圖形；

或者，所述制備方法在所述步驟S2之后包括：步驟S3’：通過一次構圖工藝，在完成所述步驟S2的所述襯底基板上形成包括所述本體電極、所述襯底電極和處于相對下層的像素電極或公共電極的圖形，所述襯底電極與處于相對下層的所述像素電極或所述公共電極采用相同的材料制成。

10.根據權利要求9項所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述本體電極包括數據線、源極、漏極和備用電極中的至少一種，所述數據線、所述源極、所述漏極和所述備用電極采用相同的材料、且在同一構圖工藝中形成在同一層。