[發明專利]電壓控制裝置

有效

• 申請號: 201310596692.6
• 申請日: 2013-11-21
• 公開（公告）號: CN103699165A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 侯中原
• 申請（專利權）人: 硅谷數模半導體(北京)有限公司;硅谷數模國際有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李志剛;吳貴明

技術領域

本發明涉及電路領域，具體而言，涉及一種電壓控制裝置。

背景技術

在深度亞微型技術中，器件的性能受到溫度和參考電壓的影響。對于電路設計者來說，希望能在PVT中保持電路的頻帶寬度不變。

在模擬電路的設計中，一般來說，從電路外部引入的供電電壓隨著溫度的變化存在著一定的波動，而模擬電路對電壓的穩定性要求較高，由于溫度的變化，可能導致供電電壓不穩定，從而導致電路的頻帶寬度變化。

針對現有技術中器件的供電電壓不穩定的問題，目前尚未提出有效的解決方案。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種電壓控制裝置，以解決器件的供電電壓不穩定的問題。

為了實現上述目的，根據本發明的另一方面，提供了一種電壓控制裝置。根據本發明的電壓控制裝置包括：參考電壓生成器，用于通過控制帶隙基準電壓源生成參考電壓；主校準器，主校準器中的運算放大器的正向輸入端與參考電壓生成器的參考電壓輸出端相連接；從校準器，與主校準器的輸出端相連接。

進一步地，參考電壓生成器包括：第一直流電壓源；帶隙基準電壓源，帶隙基準電壓源的第一端與第一直流電壓源相連接；第一參考電壓輸出端，與帶隙基準電壓源的第二端相連接；第一支路，通過第一電阻連接在帶隙基準電壓源第二端和地線之間；第二支路，通過依次串聯的第二電阻、PMOS二極管、第一NMOS二極管和第三電阻連接在帶隙基準電壓源第二端和地線之間，其中，帶隙基準電壓源通過控制第一支路和第二支路的電流比率，控制輸出端輸出參考電壓。

進一步地，第二支路包括：第二電阻，第二電阻的第一端與帶隙基準電壓源的第二端相連接。

進一步地，第二支路還包括：PMOS二極管，PMOS二極管的發射極與第二電阻的第二端相連接，PMOS二極管的集電極與PMOS二極管的基極相連接。

進一步地，第二支路還包括：第一NMOS二極管，第一NMOS二極管的集電極與PMOS二極管的集電極相連接，第一NMOS二極管的集電極與NMOS二極管的基極相連接，第一NMOS二極管的基極與PMOS二極管的基極相連接。

進一步地，第二支路還包括：第三電阻，第三電阻的第一端與第一NMOS二極管的發射極相連接，第三電阻的第二端接地。

進一步地，主校準器包括：運算放大器，運算放大器的正向輸入端與第一參考電壓輸出端相連接；第二NMOS二極管，第二NMOS二極管的基極與運算放大器的輸出端與相連接，集電極與第二直流電壓源相連接；第四電阻，第四電阻的第一端與第二NMOS二極管的發射極相連接，第四電阻的第二端與運算放大器的反向輸入端相連接；第五電阻，第五電阻的第一端與第四電阻的第二端相連接，第五電阻的第二端接地；以及第二參考電壓輸出端，與第二NMOS二極管的發射極相連接，其中，主校準器形成負反饋電路，用于校準輸出的參考電壓。

進一步地，電壓控制裝置包括多個從校準器，多個從校準器與主校準器的輸出端相連接。

通過本發明，采用生成參考電壓，并利用參考電壓校準供電電壓的裝置，解決了現有技術中器件的供電電壓不穩定的問題，進而達到了提供穩定電壓的效果。

附圖說明

構成本申請的一部分的附圖用來提供對本發明的進一步理解，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1是根據本發明實施例的電壓控制裝置的示意圖；

圖2是根據本發明實施例的參考電壓生成器的電路圖；以及

圖3是根據本發明實施例的主校準器的示意圖。

具體實施方式

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本發明。

為了使本技術領域的人員更好地理解本發明方案，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分的實施例，而不是全部的實施例?；诒景l明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本發明保護的范圍。

本發明提供了一種電壓控制裝置。

圖1是根據本發明實施例的電壓控制裝置的示意圖。如圖所述，該電壓控制裝置包括參考電壓生成器、主校準器和從屬校準器。