[發明專利]電壓控制裝置有效
| 申請號： | 201310596692.6 | 申請日： | 2013-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN103699165A | 公開（公告）日： | 2014-04-02 |
| 發明（設計）人： | 侯中原 | 申請（專利權）人： | 硅谷數模半導體(北京)有限公司;硅谷數模國際有限公司 |
| 主分類號： | G05F1/56 | 分類號： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 李志剛;吳貴明 |
| 地址： | 100086 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電壓 控制 裝置 | ||
1.一種電壓控制裝置，其特征在于，包括：
參考電壓生成器，用于通過控制帶隙基準電壓源生成參考電壓；
主校準器，所述主校準器中的運算放大器的正向輸入端與所述參考電壓生成器的參考電壓輸出端相連接；以及
從校準器，與所述主校準器的輸出端相連接。
2.根據權利要求1所述的電壓控制裝置，其特征在于，所述參考電壓生成器包括：
第一直流電壓源；
帶隙基準電壓源，所述帶隙基準電壓源的第一端與所述第一直流電壓源相連接；
第一參考電壓輸出端，與所述帶隙基準電壓源的第二端相連接；
第一支路，通過第一電阻連接在所述帶隙基準電壓源第二端和地線之間；以及
第二支路，通過依次串聯的第二電阻、PMOS二極管、第一NMOS二極管和第三電阻連接在所述帶隙基準電壓源第二端和所述地線之間，
其中，所述帶隙基準電壓源通過控制所述第一支路和所述第二支路的電流比率，控制所述輸出端輸出參考電壓。
3.根據權利要求2所述的電壓控制裝置，其特征在于，所述第二支路包括：
第二電阻，所述第二電阻的第一端與所述帶隙基準電壓源的第二端相連接。
4.根據權利要求3所述的電壓控制裝置，其特征在于，所述第二支路還包括：
PMOS二極管，所述PMOS二極管的發射極與所述第二電阻的第二端相連接，所述PMOS二極管的集電極與所述PMOS二極管的基極相連接。
5.根據權利要求4所述的電壓控制裝置，其特征在于，所述第二支路還包括：
第一NMOS二極管，所述第一NMOS二極管的集電極與所述PMOS二極管的集電極相連接，所述第一NMOS二極管的集電極與所述NMOS二極管的基極相連接，所述第一NMOS二極管的基極與所述PMOS二極管的基極相連接。
6.根據權利要求5所述的電壓控制裝置，其特征在于，所述第二支路還包括：
第三電阻，所述第三電阻的第一端與所述第一NMOS二極管的發射極相連接，所述第三電阻的第二端接地。
7.根據權利要求2所述的電壓控制裝置，其特征在于，所述主校準器包括：
運算放大器，所述運算放大器的正向輸入端與所述第一參考電壓輸出端相連接；
第二NMOS二極管，所述第二NMOS二極管的基極與所述運算放大器的輸出端與相連接，集電極與第二直流電壓源相連接；
第四電阻，所述第四電阻的第一端與所述第二NMOS二極管的發射極相連接，所述第四電阻的第二端與所述運算放大器的反向輸入端相連接；
第五電阻，所述第五電阻的第一端與所述第四電阻的第二端相連接，所述第五電阻的第二端接地；以及
第二參考電壓輸出端，與所述第二NMOS二極管的發射極相連接，
其中，所述主校準器形成負反饋電路，用于校準輸出的參考電壓。
8.根據權利要求1所述的電壓控制裝置，其特征在于，所述電壓控制裝置包括多個所述從校準器，所述多個從校準器與所述主校準器的輸出端相連接。
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