[發(fā)明專利]一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式ZnO壓敏電阻器及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310594610.4
• 申請日: 2013-11-22
• 公開（公告）號: CN104658727A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 傅邱云;周東祥;胡云香;鄭志平;羅為;陳濤
• 申請（專利權(quán)）人: 華中科技大學(xué)
• 主分類號: H01C7/112
• 分類號: H01C7/112
• 代理公司: 華中科技大學(xué)專利中心 42201
• 代理人: 朱仁玲

1.一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式ZnO壓敏電阻器的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

（1）將氧化鋅（ZnO）和氧化鉍（Bi₂O₃）的混合物中摻入錳（Mn）和鈷（Co）的氧化物，加去離子水進(jìn)行球磨混合后，將所得漿料進(jìn)行烘干、過篩得到粉體；其中，所述ZnO的摩爾分?jǐn)?shù)為93%-98.7%，Bi₂O₃的摩爾分?jǐn)?shù)為0.2%-5%，所述Mn和Co的氧化物摩爾分?jǐn)?shù)均為0.01%-5%；

（2）在上述粉體中加入分散劑、消泡劑、溶劑和粘合劑，然后球磨混合，得到流延漿料；

（3）將上述流延漿料采用流延成型方法制備出坯體，并以賤金屬鎳（Ni）為內(nèi)電極，疊層、壓片和切片，得到成型樣品；

（4）將成型的樣品在保護(hù)性氣氛中850-1150℃燒結(jié)，得到片式陶瓷電阻；

（5）在陶瓷電阻的兩個端頭涂銀（Ag）電極后在在氧氣或空氣中500-800℃下熱處理，得到賤金屬內(nèi)電極疊層片式ZnO壓敏電阻器。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述ZnO和Bi₂O₃的混合物中還摻入有鋁（Al）和/或鈮（Nb）的氧化物，加入量不超過4mol%。

3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述ZnO和Bi₂O₃的混合物中還摻入有鉻（Cr），或者銻（Sb），或者硅（Si），或者釩（V）中任一種或多種的氧化物，加入量不超過8mol%。

4.如權(quán)利要求1至3任一項所述的方法，其特征在于，所述步驟（1）中球磨混合的時間為3-5小時。

5.一種基于所述權(quán)利要求1至4任一項方法制備的賤金屬內(nèi)電極疊層片式ZnO壓敏電阻器。

6.一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式ZnO壓敏電阻器，其特征在于，所述壓敏電阻器為瓷片和內(nèi)電極依次層壓生成，其中所述內(nèi)電極材質(zhì)為賤金屬鎳（Ni），所述壓敏電阻器的兩端涂有銀（Ag）電極。