[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310593999.0
• 申請日: 2013-11-21
• 公開（公告）號: CN103915497B
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 李鐘錫;洪坰國;千大煥;鄭永均
• 申請（專利權）人: 現代自動車株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;彭益群

1.一種半導體器件，包括：

n+型碳化硅基板；

依次地設置在所述n+型碳化硅基板的第一表面上的n-型外延層、p型外延層、和n+區；

溝槽，其穿透所述n+區和所述p型外延層，設置在所述n-型外延層上，且包括設置于所述溝槽兩側上的多個突起；

設置在所述溝槽內的柵極絕緣膜；

設置在所述柵極絕緣膜上的柵電極；

設置在所述柵電極上的氧化膜；

設置在所述p型外延層、所述n+區、和所述氧化膜上的源電極；和

置于所述n+型碳化硅基板的第二表面上的漏電極，

其中所述多個突起延伸到所述p型外延層，并且

位于所述溝槽的一側上的突起彼此間隔開。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述多個突起被設置在所述溝槽的側面與所述p型外延層之間的接觸區域。

3.一種半導體器件的制造方法，該方法包括：

在n+型碳化硅基板的第一表面上依次形成n-型外延層、p型外延層、和n+區；

通過穿透所述n+區和所述p型外延層并通過蝕刻所述n-型外延層的一部分，形成溝槽；和

通過蝕刻所述溝槽的兩側，形成多個突起，

其中所述多個突起延伸到所述p型外延層，并且

位于所述溝槽的一側上的突起彼此間隔開。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述多個突起被設置在所述溝槽的側面與所述p型外延層之間的接觸區域。

5.根據權利要求3所述的方法，進一步包括：

在形成多個突起之后，在所述溝槽內形成柵極絕緣膜；

在所述柵極絕緣膜上形成柵電極；

在所述柵極絕緣膜和所述柵電極上形成氧化膜；和

在所述p型外延層、所述n+區、和所述氧化膜上形成源電極，并在所述n+型碳化硅基板的第二表面上形成漏電極。