[發明專利]改善的柵極間的外延生長

有效

• 申請號: 201310593960.9
• 申請日: 2013-11-21
• 公開（公告）號: CN104051249B
• 公開（公告）日: 2018-02-27
• 發明（設計）人: 林文杰;曾仁洲;宋明相
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L27/02;H01L23/60
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種集成電路器件，包括：

生長在襯底上的至少兩個外延生長有源區，所述外延生長有源區放置于兩個柵極器件之間；以及

位于兩個所述外延生長有源區之間的至少一個偽柵極；

其中，每個外延生長有源區的長度都大致相同，

位于所述柵極器件和所述偽柵極之間的所述外延生長有源區的長度選擇為使得負載效應降低到閾值水平之下，并且使得所述外延生長有源區的長度在所述負載效應和靜電放電性能之間折衷；

其中，所述外延生長有源區是鰭結構。

2.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述集成電路器件包括驟回靜電放電(ESD)器件。

3.根據權利要求1所述的集成電路器件，還包括：位于所述至少一個偽柵極的兩側上的襯底接觸件。

4.根據權利要求1所述的集成電路器件，還包括：襯底接觸件，位于兩個偽柵極之間的外延生長有源區的中部。

5.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述至少一個偽柵極被偏置。

6.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述至少一個偽柵極被浮置。

7.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，使用相同的掩模來形成所述柵極器件和所述偽柵極。

8.根據權利要求1所述的集成電路器件，還包括：襯底接觸件，所述襯底接觸件包括通過后硅化物工藝形成的硅化物層。

9.一種用于形成靜電放電(ESD)器件的方法，所述方法包括：

使用外延生長工藝來形成多個有源區；以及

在所述有源區之間的間隔內形成至少兩個柵極器件和至少一個偽柵極，所述柵極器件和所述偽柵極垂直于所述有源區；

其中，各有源區的長度大致相同，

選擇位于所述柵極器件和所述偽柵極器件之間的有源區的長度使得將負載效應降低到閾值水平之下，并且使得所述有源區的長度在所述負載效應和靜電放電性能之間折衷，所述有源區為鰭結構。

10.根據權利要求9所述的用于形成靜電放電器件的方法，其中，所述靜電放電器件包括驟回靜電放電器件。

11.根據權利要求9所述的用于形成靜電放電器件的方法，還包括：在所述至少一個偽柵極的兩側上形成襯底接觸件。

12.根據權利要求9所述的用于形成靜電放電器件的方法，還包括：在位于兩個偽柵極之間的有源區的中部形成襯底接觸件。

13.根據權利要求9所述的用于形成靜電放電器件的方法，其中，所述至少一個偽柵極被偏置。

14.根據權利要求9所述的用于形成靜電放電器件的方法，其中，所述至少一個偽柵極被浮置。

15.根據權利要求9所述的用于形成靜電放電器件的方法，其中，使用相同的掩模來形成所述柵極器件和所述偽柵極。

16.根據權利要求9所述的用于形成靜電放電器件的方法，還包括襯底接觸件，所述襯底接觸件包括通過后硅化物工藝形成的硅化物層。

17.一種靜電放電(ESD)器件，包括：

平行排列的至少兩個細長的柵極器件；

位于所述柵極器件之間并且與所述柵極器件平行排列的至少一個細長的偽柵極；以及

位于所述柵極器件和所述至少一個偽柵極之間的多個外延生長鰭式有源區，所述外延生長鰭式有源區相互之間平行排列并且與所述柵極器件垂直；

其中，位于所述柵極器件和所述偽柵極之間的所述外延生長鰭式有源區的長度選擇為使得負載效應降低到閾值水平之下，并且使得所述外延生長鰭式有源區的長度在所述負載效應和靜電放電性能之間折衷。