[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號： | 201310592417.7 | 申請日： | 2013-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN103839925B | 公開（公告）日： | 2018-01-02 |
| 發明（設計）人： | 小山威;廣賴嘉胤 | 申請（專利權）人： | 精工半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/60 | 分類號： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 何欣亭,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，在焊盤下具有NMOS晶體管，所述半導體裝置具有：
所述NMOS晶體管，具有：交替地配置的源極以及漏極的擴散區域、配置于所述源極與所述漏極之間的各溝道上的柵極電極、以及用于固定襯底的電位的P型擴散區域，其中所述P型擴散區域包圍所述源極以及漏極的擴散區域和所述柵極電極，所述溝道的數量為偶數；
第一下層金屬膜，為了進行與所述漏極的電連接而配置于所述漏極上；
第二下層金屬膜，用于將所述源極和所述柵極電極與所述P型擴散區域電連接；
中間層金屬膜，為矩形環形狀，在所述焊盤下具有開口部，經由第一通路與所述第一下層金屬膜電連接；
上層金屬膜，配置于所述中間層金屬膜上，經由第二通路與所述中間層金屬膜電連接，形成所述焊盤；以及
保護膜，具有與所述開口部一致的焊盤開口部，
所述NMOS晶體管僅僅與所述中間層金屬膜的一邊相交，與其他邊不相交，
所述第一通路設于所述漏極正上方的所述中間層金屬膜的一邊。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述NMOS晶體管，作為柵極長度方向上的兩端的擴散區域具有所述源極的擴散區域。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述NMOS晶體管，作為柵極長度方向上的兩端的擴散區域具有所述漏極的擴散區域。
4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述NMOS晶體管還具有用于固定襯底的電位的P型擴散區域，所述襯底被位于所述NMOS晶體管的中心的所述源極的擴散區域夾住兩側。
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