[發明專利]折疊柵控L形溝道低泄漏電流隧穿晶體管有效
| 申請號： | 201310590770.1 | 申請日： | 2013-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN104282742A | 公開（公告）日： | 2015-01-14 |
| 發明（設計）人： | 靳曉詩;吳美樂;劉溪;揣榮巖 | 申請（專利權）人： | 沈陽工業大學 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/10;H01L29/08 |
| 代理公司： | 沈陽智龍專利事務所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 宋鐵軍;周楠 |
| 地址： | 110870 遼寧省沈*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 折疊 溝道 泄漏 電流 晶體管 | ||
1.一種折疊柵控L形溝道低泄漏電流隧穿晶體管，其特征在于：?包括SOI晶圓的硅襯底（1）；SOI晶圓的硅襯底（1）上方為SOI晶圓的絕緣層（2）；SOI晶圓的絕緣層（2）上方為L形本征硅（3）；L形本征硅（3）的水平部分的一端通過離子注入形成具有重摻雜的源極區域（4）；L形本征硅（3）的豎直部分的上端通過離子注入形成具有重摻雜的漏極區域（5）；L形本征硅（3）的水平部分中間位置的上方及豎直部分靠近源極區域的一側為高介電常數的柵極絕緣層（6）；高介電常數的柵極絕緣層（6）的上方為折疊柵電極（7）；源極區域（4）和漏極區域（5）的上方為源電極（9）和漏電極（10）；折疊柵控L形溝道低泄漏電流隧穿晶體管的外部用采用絕緣介質層（8）對器件和相鄰器件之間進行隔離保護。
2.?根據權利要求1所述折疊柵控L形溝道低泄漏電流隧穿晶體管，其特征在于：L形本征硅（3）為高純度本征硅材料，分為水平和豎直兩個部分，呈英文大寫字母L形。
3.?根據權利要求1所述折疊柵控L形溝道低泄漏電流隧穿晶體管，其特征在于：折疊柵電極（7）位于L形本征硅（3）水平部分的上方和兩側，通過柵極絕緣層（6）與L形本征硅（3）隔離，并對L形本征硅（3）的水平部分和垂直部分均具控制作用。
4.?根據權利要求1所述折疊柵控L形溝道低泄漏電流隧穿晶體管，其特征在于：位于折疊柵電極（7）與L形本征硅（3）的水平部分之間的柵極絕緣層（6）的厚度為0.4納米至2納米之間；位于折疊柵電極（7）與L形本征硅（3）的垂直部分之間的柵極絕緣層（6）的厚度為2納米至4納米之間。
5.?根據權利要求4所述折疊柵控L形溝道低泄漏電流隧穿晶體管，其特征在于：柵極絕緣層（6）為具有高介電常數的絕緣介質，絕緣介質是二氧化鉿、四氮化三硅或三氧化二鋁。
6.?根據權利要求1所述折疊柵控L形溝道低泄漏電流隧穿晶體管，其特征在于：絕緣介質層（8）的介電常數低于柵極絕緣層（6）的介電常數，可以是氮化硅、二氧化硅。
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