[發(fā)明專利]保護膜的形成方法、保護膜、硬化性組合物以及積層體

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310585965.7
• 申請日: 2013-11-19
• 公開（公告）號: CN103834049A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 玉木研太郎;伊東宏和;野村博幸;長谷川公一
• 申請（專利權(quán)）人: JSR株式會社
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;C08L83/07;C08L83/05;H01L33/56
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種保護膜的形成方法、保護膜以及硬化性組合物，更詳細而言，涉及晶片級封裝法中在晶片上形成保護膜的保護膜的形成方法、利用該方法而獲得的保護膜以及該方法中使用的硬化性組合物

背景技術(shù)

近年來，移動電話、移動計算機、個人數(shù)字助理(Personal?Digital?Assistant，PDA)、數(shù)碼相機(Digital?Still?Camera，DSC)等電子制品的小型化、輕量化以及高功能化得到飛躍性的進展。隨著此種市場動向，對于搭載于電子制品上的半導(dǎo)體封裝，也強烈要求小型化、薄壁化、輕量化以及對安裝基板的高密度安裝。

基于所述背景，稱為晶片級封裝的新的半導(dǎo)體封裝技術(shù)受到關(guān)注。所謂晶片級封裝，是指在晶片狀態(tài)的情況下進行再配線、鈍化膜等保護膜的形成以及電極的形成等，最終切斷晶片而獲得半導(dǎo)體芯片的封裝技術(shù)。依據(jù)該技術(shù)，切斷晶片而獲得的半導(dǎo)體芯片的大小直接成為封裝(package)的大小，因此可進行小型化以及輕量化。

專利文獻1中記載有發(fā)光裝置的制造方法，所述發(fā)光裝置包括：發(fā)光二極管(Light?Emitting?Diode，LED)、將LED驅(qū)動的驅(qū)動電路部、檢測LED的光功率的光檢測元件、以及對自驅(qū)動電路部流向LED的電流進行反饋控制的控制電路部，且所述發(fā)光裝置的制造方法不僅將光檢測元件設(shè)置于安裝基板上，而且還實現(xiàn)小型化，并且能夠通過在該制造方法中應(yīng)用晶片級封裝技術(shù)而進一步小型化。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2008-113039號公報

發(fā)明內(nèi)容

晶片級封裝中在晶片上形成保護膜的情況下，與在各個芯片上形成保護膜的情況相比，所制膜的面積明顯寬廣，因此容易受到晶片與保護膜的熱膨脹差的影響，容易產(chǎn)生保護膜形成后的晶片的翹曲以及保護膜的龜裂。因此，在晶片級封裝中，強烈要求開發(fā)出不會產(chǎn)生如上所述的晶片的翹曲以及保護膜的龜裂的保護膜的形成方法。

本發(fā)明的課題為開發(fā)出在利用晶片級封裝技術(shù)來形成保護膜的情況下，晶片的翹曲以及保護膜的龜裂的產(chǎn)生少的保護膜的形成方法。

本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過使用含有聚硅氧烷且滿足特定條件的組合物來解決所述問題，從而完成本發(fā)明。即，本發(fā)明涉及以下的[1]～[6]。

[1]一種晶片級封裝用保護膜的形成方法，其特征在于：通過將硬化性組合物涂布于具有半導(dǎo)體元件的晶片上，使所得涂膜硬化而形成保護膜，所述硬化性組合物含有下述化學(xué)式(1)所表示的至少1種含烯基的聚硅氧烷(A)、下述化學(xué)式(2)所表示的至少1種氫化聚硅氧烷(B)以及硅氫化反應(yīng)用催化劑(C)，并且滿足下述式(3)以及下述式(4)所示的條件：

(R¹R²₂SiO_1/2)_a1(R³₃SiO_1/2)_b1(R⁴₂SiO_2/2)_c1(R⁵SiO_3/2)_d1(SiO_4/2)_e1(OX¹)_f1??????(1)

(式中，R¹為烯基，R²分別獨立地為烷基、芳基或者芳烷基，R³、R⁴及R5分別獨立地為烷基、芳基、芳烷基或者具有環(huán)氧基的基團，X¹分別獨立地表示氫原子或者碳數(shù)1～3的烷基；符號a1、符號b1、符號c1、符號d1、符號e1及符號f1表示1分子中所含的標(biāo)注有該符號的結(jié)構(gòu)單元的個數(shù)，a1為2以上的整數(shù)，b1、c1、d1、e1及f1分別獨立地為0以上的整數(shù))；