[發明專利]保護膜的形成方法、保護膜、硬化性組合物以及積層體

在審

• 申請號: 201310585965.7
• 申請日: 2013-11-19
• 公開（公告）號: CN103834049A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 玉木研太郎;伊東宏和;野村博幸;長谷川公一
• 申請（專利權）人: JSR株式會社
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;C08L83/07;C08L83/05;H01L33/56
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種晶片級封裝用保護膜的形成方法，其特征在于：通過將硬化性組合物涂布于具有半導體元件的晶片上，使所得的涂膜硬化而形成保護膜，所述硬化性組合物含有下述化學式(1)所表示的至少1種含烯基的聚硅氧烷(A)、下述化學式(2)所表示的至少1種氫化聚硅氧烷(B)以及硅氫化反應用催化劑(C)，并且滿足下述式(3)及下述式(4)所示的條件：

(R¹R²₂SiO_1/2)_a1(R³₃SiO_1/2)_b1(R⁴₂SiO_2/2)_c1(R⁵SiO_3/2)_d1(SiO_4/2)_e1(OX¹)_f1????????(1)

式中，R¹為烯基，R²分別獨立地為烷基、芳基或者芳烷基，R³、R⁴及R5分別獨立地為烷基、芳基、芳烷基或者具有環氧基的基團，X¹分別獨立地表示氫原子或者碳數1～3的烷基；符號a1、符號b1、符號c1、符號d1、符號e1及符號f1表示1分子中所含的標注有所述符號的結構單元的個數，a1為2以上的整數，b1、c1、d1、e1及f1分別獨立地為0以上的整數；

(HR⁶₂SiO_1/2)_a2(R⁷₃SiO_1/2)_b2(R⁸₂SiO_2/2)_c2(R⁹SiO_3/2)_d2(SiO_4/2)_e2(OX²)_f2???????(2)

式中，R⁶分別獨立地為烷基、芳基或者芳烷基，R⁷、R⁸及R⁹分別獨立地為烷基、芳基、芳烷基或者具有環氧基的基團，X²分別獨立地表示氫原子或者碳數1～3的烷基；符號a2、符號b2、符號c2、符號d2、符號e2及符號f2表示1分子中所含的標注有所述符號的結構單元的個數，a2為2以上的整數，b2、c2、d2、e2及f2分別獨立地為0以上的整數；

0.1＜[∑〔(d1+e1)×L₁〕+∑〔(d2+e2)×L₂〕]/[∑〔(a1+b1+c1+d1+e1)×L₁〕+∑〔(a2+b2+c2+d2+e2)×L₂〕]＜0.6???????(3)

式中，a1～e1分別與式(1)中的a1～e1含義相同，表示與所述硬化性組合物中所含的各所述含烯基的聚硅氧烷(A)有關的a1～e1；a2～e2分別與式(2)中的a2～e2含義相同，表示與所述硬化性組合物中所含的各所述氫化聚硅氧烷(B)有關的a2～e2；L₁為將所述硬化性組合物中所含的各所述含烯基的聚硅氧烷(A)的含量以重量份表示時的數值，L₂為將所述硬化性組合物中所含的各所述氫化聚硅氧烷(B)的含量以重量份表示時的數值，其中，將各所述含烯基的聚硅氧烷(A)中的L₁的合計與各所述氫化聚硅氧烷(B)中的L₂的合計之和設為100；

∑〔(d1+e1)×L₁〕表示所述硬化性組合物中所含的各所述含烯基的聚硅氧烷(A)中的(d1+e1)×L₁的總和，

∑〔(d2+e2)×L₂〕表示所述硬化性組合物中所含的各所述氫化聚硅氧烷(B)中的(d2+e2)×L₂的總和，

∑〔(a1+b1+c1+d1+e1)×L₁〕表示所述硬化性組合物中所含的各所述含烯基的聚硅氧烷(A)中的(a1+b1+c1+d1+e1)×L₁的總和，

∑〔(a2+b2+c2+d2+e2)×L₂〕表示所述硬化性組合物中所含的各所述氫化聚硅氧烷(B)中的(a2+b2+c2+d2+e2)×L₂的總和；

0.05＜[∑〔c1×L₁〕+∑〔c2×L₂〕]/[∑〔(a1+b1+c1+d1+e1)×L₁〕+∑〔(a2+b2+c2+d2+e2)×L₂〕]＜0.5???????(4)

式中，a1～e1分別與式(3)中的a1～e1含義相同，a2～e2分別與式(3)中的a2～e2含義相同；L₁及L₂分別與式(3)中的L₁及L₂含義相同；

∑〔c1×L₁〕表示所述硬化性組合物中所含的各所述含烯基的聚硅氧烷(A)中的c1×L₁的總和，

∑〔c2×L₂〕表示所述硬化性組合物中所含的各所述氫化聚硅氧烷(B)中的c2×L₂的總和，

∑〔(a1+b1+c1+d1+e1)×L₁〕表示所述硬化性組合物中所含的各所述含烯基的聚硅氧烷(A)中的(a1+b1+c1+d1+e1)×L₁的總和，

∑〔(a2+b2+c2+d2+e2)×L₂〕表示所述硬化性組合物中所含的各所述氫化聚硅氧烷(B)中的(a2+b2+c2+d2+e2)×L₂的總和。