[發明專利]用于使半導體芯片與箔分離的方法有效
| 申請號: | 201310585803.3 | 申請日: | 2013-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN103839772B | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發明(設計)人: | 恩斯特·巴爾梅特勒;艾爾萬·羅德里格斯 | 申請(專利權)人: | 貝思瑞士股份公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司11219 | 代理人: | 梁曉廣,關兆輝 |
| 地址: | 瑞士*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 半導體 芯片 分離 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種用于在所謂的預剝離階段期間使薄半導體芯片與箔分離的方法。
背景技術
半導體芯片通常設置在由框架保持的箔(在本領域中還稱為帶)上,用于在半導體安裝裝置(所謂的粘片機)上進行處理。半導體芯片附接于箔。帶有箔的框架由可移位的晶圓臺容納。使晶圓臺移位以在特定位置處一個接一個地提供半導體芯片,且所提供的半導體芯片以循環方式由芯片夾持器夾取并被放置在基片上。所提供的半導體芯片從箔的移除由布置在箔下方的芯片脫離器(在本領域稱為晶片脫離器)支撐。
半導體芯片的分離通常以兩個階段進行,即,第一階段,在沒有芯片夾持器的輔助下由晶片脫離器使半導體芯片與箔至少部分地分離;和第二階段,芯片夾持器夾持半導體芯片并使半導體芯片與箔完全分離。第一階段被專家稱為“預剝離”階段。晶片脫離器包括能上升和下降的可機械移動裝置,如針或可移位的載架或幾個板,并且在設置階段需要確定和設置決定機械裝置如何移動的幾個參數。該參數需要以這樣的方式設置,使得一方面預剝離過程在盡可能最短的時間段內進行,且另一方面不損壞半導體芯片。如果預剝離過程進行得過快,有可能會出現半導體芯片分裂。
發明內容
本發明的目的是改善在預剝離階段期間使薄半導體芯片與箔分離。
本發明總體涉及用于在預剝離階段期間使半導體芯片與箔分離的方法。預剝離階段是芯片夾持器不涉及的階段。根據第一方面,本發明涉及的方法包括用于確定和設置時間段的設置階段,每個所述時間段限定分離過程的預剝離步驟的持續時間,其中,在每個預剝離步驟過程中,首先所述半導體芯片的至少一個區域保持粘接到所述箔且被彎曲,隨后與箔分離。所述設置階段包括以下步驟:
利用大致垂直作用在待被移除的半導體芯片的表面上的光照射所述待被移除的半導體芯片;
為持續時間待被確定的每個預剝離步驟進行以下步驟:
初始化所述預剝離步驟;
重復以下兩個步驟:
記錄所述半導體芯片的圖像,并為所述圖像分配自所述預剝離步驟的初始化起已經過的時間段,以及
檢查在所述圖像中所述半導體芯片的周圍區域是否比預定的亮度值暗;
直到所述檢查得到沒有半導體芯片的周圍區域比預定的亮度值暗的結果;以及
為所述預剝離步驟分配與最后記錄的圖像有關的時間段或由其得出的時間段。
根據第二方面,本發明涉及在預剝離階段期間實時監測箔的分離的方法。所述方法包括以下步驟:
利用大致垂直作用在待被移除的半導體芯片的表面上的光照射所述待被移除的半導體芯片;
執行至少一個預剝離步驟,在所述至少一個預剝離步驟中,首先所述半導體芯片的至少一個區域保持粘接到所述箔且被彎曲,隨后與箔分離,其中,所述至少一個預剝離步驟中的每個包括以下步驟:
初始化所述預剝離步驟;
重復兩個步驟:
記錄所述半導體芯片的圖像,以及
檢查在所述圖像中所述半導體芯片的周圍區域是否比預定的亮度值暗;
直到所述檢查得到沒有半導體芯片的周圍區域比預定的亮度值暗的結果;以及
在最后的預剝離步驟結束時,由晶片夾持器夾持所述半導體芯片并完成所述半導體芯片與所述箔的分離。
例如,通過具有可上升和可下降的板的晶片脫離器用于所述半導體芯片與所述箔的分離。在該情況中,在所述預剝離步驟中的上述初始化包含使尚未下降的最外側的板下降。
在所述預剝離階段,所述半導體芯片與所述箔的分離還能夠借助于可平行于所述箔的表面移位的載架執行。在這種情況下,在所述預剝離步驟中的上述初始化包括所述載架的預定距離的移位。
附圖說明
附圖被納入說明書并構成本說明書的一部分,附圖示出本發明的一個或多個實施例,并與詳細說明一起,用于解釋本發明的原理和實施。附圖不是成比例的。在附圖中:
圖1通過實例方式示意性地示出對于執行根據本發明的過程所必須的半導體安裝設備的部件的相互布置;
圖2示出可上升和可下降的板的布置的頂視圖;并且
圖3-13示出由相機記錄的圖像。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





