[發明專利]用于使半導體芯片與箔分離的方法有效
| 申請號: | 201310585803.3 | 申請日: | 2013-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN103839772B | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發明(設計)人: | 恩斯特·巴爾梅特勒;艾爾萬·羅德里格斯 | 申請(專利權)人: | 貝思瑞士股份公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司11219 | 代理人: | 梁曉廣,關兆輝 |
| 地址: | 瑞士*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 半導體 芯片 分離 方法 | ||
1.一種用于使半導體芯片與箔分離的方法,所述方法包括用于確定和設置時間段的設置階段,每個所述時間段限定分離過程的預剝離步驟的持續時間,其中,在每個預剝離步驟過程中,首先所述半導體芯片的至少一個區域保持粘接到所述箔且被彎曲,隨后與箔分離,所述設置階段包括以下步驟:
利用大致垂直作用在待被移除的半導體芯片的表面上的光照射所述待被移除的半導體芯片;
為持續時間待被確定的每個預剝離步驟執行以下步驟:
初始化所述預剝離步驟;
重復以下兩個步驟:
記錄所述半導體芯片的圖像,并為所述圖像分配自所述預剝離步驟的初始化起已經過的時間段,以及
檢查在所述圖像中所述半導體芯片的周圍區域是否比預定的亮度值暗;
直到所述檢查得到沒有所述半導體芯片的周圍區域比所述預定的亮度值暗的結果;以及
為所述預剝離步驟分配與最后記錄的圖像有關的時間段或由其得出的時間段。
2.一種用于使半導體芯片與箔分離的方法,所述方法包括以下步驟:
利用大致垂直作用在待被移除的半導體芯片的表面上的光照射所述待被移除的半導體芯片;
進行至少一個預剝離步驟,在所述至少一個預剝離步驟中,首先所述半導體芯片的至少一個區域保持粘接到所述箔且被彎曲,隨后與所述箔分離,其中,所述至少一個預剝離步驟中的每個包括以下步驟:
初始化所述預剝離步驟;
重復以下兩個步驟:
記錄所述半導體芯片的圖像,以及
檢查在所述圖像中所述半導體芯片的周圍區域是否比預定的亮度值暗;
直到所述檢查得到沒有所述半導體芯片的周圍區域比所述預定的亮度值暗的結果;以及
在最后的預剝離步驟結束時,由晶片夾持器夾持所述半導體芯片并完成所述半導體芯片與所述箔的分離。
3.根據權利要求1或2所述的方法,所述方法進一步包括將具有可上升和可下降的板(11)的晶片脫離器(4)用于所述半導體芯片(3)與所述箔(2)的分離,其中,在所述至少一個預剝離步驟中的上述初始化包含使尚未下降的最外側的板下降。
4.根據權利要求1或2所述的方法,所述方法進一步包括將具有能夠平行于所述箔(2)的表面移位的載架的晶片脫離器(4)用于所述半導體芯片(3)與所述箔(2)的分離,其中,在所述至少一個預剝離步驟中的上述初始化包括所述載架的預定距離的移位。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





