[發明專利]影像傳感器封裝結構及其封裝方法有效
| 申請號: | 201310585564.1 | 申請日: | 2013-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN103560139A | 公開(公告)日: | 2014-02-05 |
| 發明(設計)人: | 王之奇;喻瓊;王蔚 | 申請(專利權)人: | 蘇州晶方半導體科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 215021 蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 影像 傳感器 封裝 結構 及其 方法 | ||
1.一種影像傳感器的封裝方法,其特征在于,包括:
提供第一基板,所述第一基板的上表面形成有若干影像感應區和環繞所述影像感應區的焊盤;
提供第二基板,所述第二基板中形成有若干空腔;
在第二基板的上表面形成膠帶膜,膠帶膜封閉空腔的開口;
將第二基板的下表面與第一基板的上表面壓合,使影像感應區位于空腔內;
切割去除相鄰空腔之間的膠帶膜和部分厚度的第二基板,形成環繞所述影像感應區的空腔壁、以及位于空腔壁頂部表面封閉空腔的膠帶層;
去除空腔之間的第一基板上剩余的第二基板材料,暴露出焊盤的表面;
將第一基板進行分割,形成單個的影像傳感器芯片;
將影像傳感器芯片上的焊盤與第三基板上的電路通過引線電連接。
2.如權利要求1所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,采用刀片切割去除相鄰空腔之間的膠帶膜和部分厚度的第二基板。
3.如權利要求1所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述相鄰空腔之間的第一基板上剩余第二基板的厚度小于20微米。
4.如權利要求1所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述第二基板的材料為樹脂。
5.如權利要求1所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述第二基板的材料為玻璃、硅或陶瓷。
6.如權利要求5所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述第二基板下表面上形成有粘合層,第二基板下表面和第一基板的上表面通過粘合層壓合。
7.如權利要求6所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述粘合層的材料為環氧樹脂膠、聚酰亞胺膠、苯并環丁烯膠或聚苯并惡唑膠。
8.如權利要求6所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,形成空腔壁的過程為:切割去除相鄰空腔之間的膠帶膜、第二基板和部分厚度的粘合層,形成環繞所述影像感應區的空腔壁、以及位于空腔壁頂部表面封閉空腔的膠帶層;刻蝕去除相鄰空腔之間的第一基板上剩余的粘合層,曝露出焊盤的表面。
9.如權利要求1、4或8所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,去除焊盤上剩余的第二基板材料或粘合層材料采用等離子干法去膠工藝。
10.如權利要求1所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述膠帶膜為UV解膠膠帶或熱解膠膠帶。
11.如權利要求1所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,還包括:在所述膠帶膜上形成保護膜;切割去除相鄰空腔之間的保護膜、膠帶膜和部分厚度的第二基板,形成環繞所述影像感應區的空腔壁、位于空腔壁頂部表面封閉空腔的膠帶層、以及位于膠帶層上的保護層。
12.如權利要求11所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述保護膜的材料為光刻膠。
13.如權利要求12所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,所述保護膜的形成工藝為旋涂工藝、噴涂工藝或貼膜工藝。
14.一種影像傳感器的封裝方法,其特征在于,包括:
提供第一基板,所述第一基板的上表面形成有若干影像感應區和環繞所述影像感應區的焊盤;
提供第二基板,將第二基板下表面與第一基板的上表面壓合;
切割去除焊盤上部分厚度的第二基板;
去除焊盤上剩余的第二基板材料,暴露出焊盤的表面;
將第一基板進行分割,形成單個的影像傳感器芯片;
將影像傳感器芯片上的焊盤與第三基板上的電路通過引線電連接。
15.如權利要求14所述的影像傳感器的封裝方法,其特征在于,去除焊盤上剩余的第二基板材料采用等離子干法去膠工藝。
16.一種影像傳感器的封裝結構,其特征在于,包括:
影像傳感器芯片,所述影像傳感器芯片的上表面上具有影像感應區和環繞所述影像感應區的焊盤;
空腔壁,位于影像感應區和焊盤之間的影像傳感器芯片的上表面上,空腔壁環繞所述影像感應區,在影像感應區上形成空腔;
膠帶層,位于空腔壁的頂部表面,封閉所述空腔;
第三基板,第三基板上形成有電路,第三基板的上表面與影像傳感器芯片的下表面貼合;
引線,將影像傳感器芯片的上的焊盤與第三基板上的電路電連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州晶方半導體科技股份有限公司,未經蘇州晶方半導體科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310585564.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種多極性磁鋼無刷風機結構
- 下一篇:一種高耗能防舞裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





