[發明專利]影像傳感器封裝結構及其封裝方法有效
| 申請號: | 201310585564.1 | 申請日: | 2013-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN103560139A | 公開(公告)日: | 2014-02-05 |
| 發明(設計)人: | 王之奇;喻瓊;王蔚 | 申請(專利權)人: | 蘇州晶方半導體科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 215021 蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 影像 傳感器 封裝 結構 及其 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體封裝技術,特別涉及一種影像傳感器封裝結構及其封裝方法。
背景技術
影像傳感器從物體接收光信號且將光信號轉化為電信號,電信號可以被傳輸用于進一步的處理,諸如數字化,然后在諸如存儲器、光盤或磁盤的存儲器件中存儲,或用于在顯示器上顯示等。影像傳感器通常用于諸如數碼相機、攝像機、掃描儀、傳真機等裝置。影像傳感器通常包括電荷耦合器件(CCD)影像傳感器和CMOS影像傳感器(CIS,CMOS?Image?Sensor)。相比于CCD影像傳感器,CMOS影像傳感器具有集成度高、功耗小、生成成本低等優點。
隨著影像傳感器的尺寸越來越小,焊墊數目不斷增多,焊墊間距越來越窄,相應地,對影像傳感器封裝提出了更高的要求。
目前對于影像傳感器芯片的封裝技術有很多種,其中板上芯片(Chip?on?Board,COB)封裝技術由于其封裝的產品性能可靠穩定,集成度高,封裝后的產品體積小,易用性強,產品工藝流程簡單,封裝的成本低等一系列優點,是目前影像傳感器芯片封裝中應用較為廣泛的一種。
如圖1所示,COB封裝是采用粘接劑或自動帶焊、絲焊、倒裝焊等方法,將影像傳感器芯片31直接貼裝在電路板34上,再通過引線鍵合技術實現影像傳感器芯片31上的焊盤32與電路板34上的連接點的電連接。由于影像傳感器芯片31在COB封裝過程中并沒有被保護裝置隔離,因此在影像傳感器芯片的COB封裝過程中容易對影像傳感器芯片31的影像感應區33造成污染或損傷。
發明內容
本發明解決的問題是怎樣防止影像傳感器芯片的封裝過程中的芯片污染或損傷,并提高封裝的生產效率。
為解決上述問題,本發明提供一種影像傳感器的封裝方法,包括:提供第一基板,所述第一基板的上表面形成有若干影像感應區和環繞所述影像感應區的焊盤;提供第二基板,所述第二基板中形成有若干空腔;在第二基板的上表面形成膠帶膜,膠帶膜封閉空腔的開口;將第二基板的下表面與第一基板的上表面壓合,使影像感應區位于空腔內;切割去除相鄰空腔之間的膠帶膜和部分厚度的第二基板,形成環繞所述影像感應區的空腔壁、以及位于空腔壁頂部表面封閉空腔的膠帶層;去除空腔之間的第一基板上剩余的第二基板材料,暴露出焊盤的表面;將第一基板進行分割,形成單個的影像傳感器芯片;將影像傳感器芯片上的焊盤與第三基板上的電路通過引線電連接。
可選的,采用刀片切割去除相鄰空腔之間的膠帶膜和部分厚度的第二基板。
可選的,所述相鄰空腔之間的第一基板上剩余第二基板的厚度小于20微米。
可選的,所述第二基板的材料為樹脂。
可選的,所述第二基板的材料為玻璃、硅或陶瓷。
可選的,所述第二基板下表面上形成有粘合層,第二基板下表面和第一基板的上表面通過粘合層壓合。
可選的,所述粘合層的材料為環氧樹脂膠、聚酰亞胺膠、苯并環丁烯膠或聚苯并惡唑膠。
可選的,形成空腔壁的過程為:切割去除相鄰空腔之間的膠帶膜、第二基板和部分厚度的粘合層,形成環繞所述影像感應區的空腔壁、以及位于空腔壁頂部表面封閉空腔的膠帶層;刻蝕去除相鄰空腔之間的第一基板上剩余的粘合層,曝露出焊盤的表面。
可選的,去除焊盤上剩余的第二基板材料或粘合層材料采用等離子干法去膠工藝。
可選的,所述膠帶膜為UV解膠膠帶或熱解膠膠帶。
可選的,還包括:在所述膠帶膜上形成保護膜;切割去除相鄰空腔之間的保護膜、膠帶膜和部分厚度的第二基板,形成環繞所述影像感應區的空腔壁、位于空腔壁頂部表面封閉空腔的膠帶層、以及位于膠帶層上的保護層。
可選的,所述保護膜的材料為光刻膠。
可選的,所述保護膜的形成工藝為旋涂工藝、噴涂工藝或貼膜工藝。
本發明還提供了一種影像傳感器的封裝方法,包括:提供第一基板,所述第一基板的上表面形成有若干影像感應區和環繞所述影像感應區的焊盤;提供第二基板,將第二基板下表面與第一基板的上表面壓合;切割去除焊盤上部分厚度的第二基板;刻蝕去除焊盤上剩余的第二基板材料,暴露出焊盤的表面;將第一基板進行分割,形成單個的影像傳感器芯片;將影像傳感器芯片上的焊盤與第三基板上的電路通過引線電連接。
可選的,去除焊盤上剩余的第二基板材料采用等離子干法去膠工藝。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





