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[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法在審

專利信息
申請號: 201310585557.1 申請日: 2013-11-19
公開(公告)號: CN104659248A 公開(公告)日: 2015-05-27
發明(設計)人: 周明杰;黃輝;陳吉星;王平 申請(專利權)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分類號: H01L51/52 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202 代理人: 郝傳鑫;熊永強
地址: 518000 廣東省深*** 國省代碼: 廣東;44
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摘要:
搜索關鍵詞: 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法
【說明書】:

技術領域

發明涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。

背景技術

有機電致發光器件的發光原理是基于在外加電場的作用下,電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUMO),而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子,激子在電場作用下遷移,將能量傳遞給發光材料,并激發電子從基態躍遷到激發態,激發態能量通過輻射失活,產生光子,釋放光能。

傳統的有機電致發光器件的電子注入層一般采用氟化鋰,但是由于氟化鋰熔點過高,蒸鍍時必須采用較大電流來蒸鍍,而有機蒸鍍室的蒸鍍室溫度過高,會使其他有機功能層受到破壞,并且氟化鋰的成膜性較差,容易形成電子缺陷,造成電子的淬滅,降低了電子和空穴的復合幾率。

發明內容

基于此,有必要提供一種發光效率較高的有機電致發光器件及其制備方法。

一種有機電致發光器件,包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極,所述電子注入層由三元摻雜層和鎂的化合物摻雜層組成,所述三元摻雜層材料酞菁類金屬化合物材料、雙極性金屬氧化物材料與雙極性有機傳輸材料,所述酞菁類金屬化合物材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中至少一種,所述雙極性金屬氧化物材料選自三氧化鉬,三氧化鎢及五氧化二釩中至少一種,所述雙極性有機傳輸材料選自2,4,6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1,3,5-三嗪,2,6-二(3-(9H-咔唑-9-基)苯)吡啶,3',3''-(4-(萘-1-基)-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基)雙(N,N-二(聯苯基)-4-氨)及2,5-雙(4-(9-(2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1,3,4-噁二唑中至少一種,所述鎂的化合物摻雜層包括鎂的化合物材料和摻雜在所述鎂的化合物材料中的金屬材料,所述鎂的化合物材料選自硫化鎂、氧化鎂及氯化鎂中至少一種,所述金屬材料功函數為-4.0eV~-5.5eV。

所述三元摻雜層中所述酞菁類金屬化合物材料、雙極性金屬氧化物材料與雙極性有機傳輸材料的質量比為(4~15):(3~5):1,所述鎂的化合物摻雜層中所述鎂的化合物材料與金屬材料的質量比為0.1:1~0.3:1。

所述三元摻雜層厚度為20nm~80nm,所述鎂的化合物摻雜層厚度為20nm~50nm。

所述金屬材料選自銀、鋁、鉑及金中至少一種。

一種有機電致發光器件的制備方法,包括以下步驟:

通過磁控濺射的方式在陽極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發光層及電子傳輸層;

然后在電子傳輸層表面制備電子注入層,所述電子注入層由三元摻雜層和鎂的化合物摻雜層組成,所述電子注入層的制備方式為:在電子傳輸層表面通過熱阻蒸鍍的方法制備三元摻雜層,所述三元摻雜層材料酞菁類金屬化合物材料、雙極性金屬氧化物材料與雙極性有機傳輸材料,所述酞菁類金屬化合物材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中至少一種,所述雙極性金屬氧化物材料選自三氧化鉬,三氧化鎢及五氧化二釩中至少一種,所述雙極性有機傳輸材料選自2,4,6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1,3,5-三嗪,2,6-二(3-(9H-咔唑-9-基)苯)吡啶,3',3''-(4-(萘-1-基)-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基)雙(N,N-二(聯苯基)-4-氨)及2,5-雙(4-(9-(2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1,3,4-噁二唑中至少一種,然后在所述三元摻雜層表面通過熱阻蒸鍍方式制備鎂的化合物摻雜層,所述鎂的化合物摻雜層包括鎂的化合物材料和摻雜在所述鎂的化合物材料中的金屬材料,所述鎂的化合物材料選自硫化鎂、氧化鎂及氯化鎂中至少一種,所述金屬材料功函數為-4.0eV~-5.5eV,及,

在所述電子注入層表面通過磁控濺射的方式形成陰極。

所述三元摻雜層中所述酞菁類金屬化合物材料、雙極性金屬氧化物材料與雙極性有機傳輸材料的質量比為(4~15):(3~5):1,所述鎂的化合物摻雜層中所述鎂的化合物材料與金屬材料的質量比為0.1:1~0.3:1。

所述三元摻雜層厚度為20nm~80nm,所述鎂的化合物摻雜層厚度為20nm~50nm。

所述金屬材料選自銀、鋁、鉑及金中至少一種。

所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強為2×10-3~5×10-5Pa,電流為1A~5A,有機材料的蒸鍍速率為0.1nm/s~1nm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1nm/s~10nm/s。

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