[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310585557.1 | 申請日: | 2013-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN104659248A | 公開(公告)日: | 2015-05-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周明杰;黃輝;陳吉星;王平 | 申請(專利權(quán))人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強(qiáng) |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 電致發(fā)光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極,所述電子注入層由三元摻雜層和鎂的化合物摻雜層組成,所述三元摻雜層材料酞菁類金屬化合物材料、雙極性金屬氧化物材料與雙極性有機(jī)傳輸材料,所述酞菁類金屬化合物材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中至少一種,所述雙極性金屬氧化物材料選自三氧化鉬,三氧化鎢及五氧化二釩中至少一種,所述雙極性有機(jī)傳輸材料選自2,4,6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1,3,5-三嗪,2,6-二(3-(9H-咔唑-9-基)苯)吡啶,3',3''-(4-(萘-1-基)-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基)雙(N,N-二(聯(lián)苯基)-4-氨)及2,5-雙(4-(9-(2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1,3,4-噁二唑中至少一種,所述鎂的化合物摻雜層包括鎂的化合物材料和摻雜在所述鎂的化合物材料中的金屬材料,所述鎂的化合物材料選自硫化鎂、氧化鎂及氯化鎂中至少一種,所述金屬材料功函數(shù)為-4.0eV~-5.5eV。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述三元摻雜層中所述酞菁類金屬化合物材料、雙極性金屬氧化物材料與雙極性有機(jī)傳輸材料的質(zhì)量比為(4~15):(3~5):1,所述鎂的化合物摻雜層中所述鎂的化合物材料與金屬材料的質(zhì)量比為0.1:1~0.3:1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述三元摻雜層厚度為20nm~80nm,所述鎂的化合物摻雜層厚度為20nm~50nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述金屬材料選自銀、鋁、鉑及金中至少一種。
5.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
通過磁控濺射的方式在陽極表面依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層及電子傳輸層;
然后在電子傳輸層表面制備電子注入層,所述電子注入層由三元摻雜層和鎂的化合物摻雜層組成,所述電子注入層的制備方式為:在電子傳輸層表面通過熱阻蒸鍍的方法制備三元摻雜層,所述三元摻雜層材料酞菁類金屬化合物材料、雙極性金屬氧化物材料與雙極性有機(jī)傳輸材料,所述酞菁類金屬化合物材料選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中至少一種,所述雙極性金屬氧化物材料選自三氧化鉬,三氧化鎢及五氧化二釩中至少一種,所述雙極性有機(jī)傳輸材料選自2,4,6-三(N-苯基-1-萘氨基)-1,3,5-三嗪,2,6-二(3-(9H-咔唑-9-基)苯)吡啶,3',3''-(4-(萘-1-基)-4H-1,2,4-三唑-3,5-二基)雙(N,N-二(聯(lián)苯基)-4-氨)及2,5-雙(4-(9-(2-乙基己基)-9H-咔唑-3-基)苯基)-1,3,4-噁二唑中至少一種,然后在所述三元摻雜層表面通過熱阻蒸鍍方式制備鎂的化合物摻雜層,所述鎂的化合物摻雜層包括鎂的化合物材料和摻雜在所述鎂的化合物材料中的金屬材料,所述鎂的化合物材料選自硫化鎂、氧化鎂及氯化鎂中至少一種,所述金屬材料功函數(shù)為-4.0eV~-5.5eV,及,
在所述電子注入層表面通過磁控濺射的方式形成陰極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:所述三元摻雜層中所述酞菁類金屬化合物材料、雙極性金屬氧化物材料與雙極性有機(jī)傳輸材料的質(zhì)量比為(4~15):(3~5):1,所述鎂的化合物摻雜層中所述鎂的化合物材料與金屬材料的質(zhì)量比為0.1:1~0.3:1。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:所述三元摻雜層厚度為20nm~80nm,所述鎂的化合物摻雜層厚度為20nm~50nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:所述金屬材料選自銀、鋁、鉑及金中至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:所述熱阻蒸鍍方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2×10-3~5×10-5Pa,電流為1A~5A,有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1nm/s~1nm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1nm/s~10nm/s。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于:所述磁控濺射方式的工藝具體為:工作壓強(qiáng)為2×10-3~5×10-5Pa,蒸鍍速率為0.1nm/s~10nm/s,磁控濺射的加速電壓為300V~800V,磁場為50G~200G,功率密度為1W/cm2~40W/cm2。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
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- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
- 有序的有機(jī)-有機(jī)多層生長
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