[發明專利]金屬插塞的形成方法在審
| 申請號： | 201310582617.4 | 申請日： | 2013-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN104658961A | 公開（公告）日： | 2015-05-27 |
| 發明（設計）人： | 韓秋華 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 形成 方法 | ||
1.一種金屬插塞的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底；
在所述半導體襯底上形成介質層；
在所述介質層上形成犧牲層；
在所述犧牲層和所述介質層中形成通孔，所述通孔貫穿所述犧牲層和所述介質層；
在所述通孔和所述犧牲層表面形成金屬層，所述金屬層至少填滿所述通孔；
進行化學機械平坦化去除位于所述犧牲層表面的所述金屬層直至形成金屬插塞；
去除所述犧牲層。
2.如權利要求1所述的金屬插塞的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為多晶硅或者芳香族熱固性有機材料。
3.如權利要求2所述的金屬插塞的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度范圍為
4.如權利要求3所述的金屬插塞的形成方法，其特征在于，采用化學氣相沉積工藝形成所述犧牲層，所述化學氣相沉積工藝的溫度小于或等于500℃。
5.如權利要求4所述的金屬插塞的形成方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝去除所述犧牲層，所述濕法刻蝕工藝使用的溶液為堿性溶液或者中性溶液。
6.如權利要求5所述的金屬插塞的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝使用的溶液為四甲基氫氧化銨溶液或者氫氧化鉀溶液。
7.如權利要求1所述的金屬插塞的形成方法，其特征在于，所述金屬層的材料為鎢。
8.如權利要求7所述的金屬插塞的形成方法，其特征在于，所述金屬層的形成步驟包括：
形成具有鎢晶粒的成核層；
通過含硼的氣體以及含鎢的氣體的混合氣體對所述成核層進行表面處理，使所述成核層的所述鎢晶粒變大；
在經過所述表面處理后的所述成核層上形成鎢錠層。
9.如權利要求1所述的金屬插塞的形成方法，其特征在于，所述半導體襯底中制作有PMOS晶體管和NMOS晶體管。
10.如權利要求1所述的金屬插塞的形成方法，其特征在于，所述化學機械平坦化所采用的研磨液PH值小于7。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
