[發明專利]大面積異形晶片勻膠均勻性控制裝置

有效

• 申請號: 201310576932.6
• 申請日: 2013-11-18
• 公開（公告）號: CN103633005A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 黃歆;張雅;陳明和;楊思川
• 申請（專利權）人: 北京中科飛鴻科技有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/68;H01L21/683;G03F7/16
• 代理公司: 北京凱特來知識產權代理有限公司 11260
• 代理人: 鄭立明;趙鎮勇

技術領域

本發明涉及一種半導體加工設備的基片承載裝置，尤其涉及一種大面積異形晶片勻膠均勻性控制裝置。

背景技術

隨著半導體技術的迅速發展，常用的圓形基片已無法滿足生產需要，各種長方形、方形等異形基片開始層出不窮，而常規的旋轉涂覆式勻膠容易導致異形基片端面勻膠不均，限制了生產合格率的提高。

發明內容

本發明的目的是提供一種能解決大面積異形基片勻膠不均勻問題的大面積異形晶片勻膠均勻性控制裝置。

本發明的目的是通過以下技術方案實現的：

本發明的大面積異形晶片勻膠均勻性控制裝置，包括承片平臺，所述承片平臺上表面的中心位置設置一個貫通所述承載平臺的定位槽，所述定位槽長度方向的兩端分別設有定位臺階，所述定位槽內部設置一個真空槽，所述真空槽的底部設有抽真空孔，所述定位槽寬度方向的兩側設置分別設有弧形擋板，所述弧形擋板的弧形圓心指向所述承片平臺的中心方向。

由上述本發明提供的技術方案可以看出，本發明實施例提供的大面積異形晶片勻膠均勻性控制裝置，由于承片平臺上表面的中心位置設置一個貫通所述承載平臺的定位槽，定位槽長度方向的兩端分別設有定位臺階，定位槽內部設置一個真空槽，真空槽的底部設有抽真空孔，定位槽寬度方向的兩側設置分別設有弧形擋板，弧形擋板的弧形圓心指向承片平臺的中心方向。解決了半導體芯片制作中大面積異形基片勻膠不均勻的問題，能有效防止異形基片端面勻膠不均勻，顯著提高半導體芯片的性能及生產效率，本發明還具有成本低、易于實現的特點。

附圖說明

圖1為本發明實施例提供的大面積異形晶片勻膠均勻性控制裝置的結構示意圖。

具體實施方式

下面將對本發明實施例作進一步地詳細描述。

本發明的大面積異形晶片勻膠均勻性控制裝置，其較佳的具體實施方式是：

包括承片平臺，所述承片平臺上表面的中心位置設置一個貫通所述承載平臺的定位槽，所述定位槽長度方向的兩端分別設有定位臺階，所述定位槽內部設置一個真空槽，所述真空槽的底部設有抽真空孔，所述定位槽寬度方向的兩側設置分別設有弧形擋板，所述弧形擋板的弧形圓心指向所述承片平臺的中心方向。

所述定位槽的寬度尺寸與基片一致，所述定位臺階的長度小于所述基片的寬度，所述定位臺階的高度與所述基片相同，兩個所述定位臺階的內間距與所述基片的長度相同。

所述定位臺階的長度小于所述基片的寬度4mm。

所述真空槽的形狀與基片相似，所述真空槽的平面尺寸小于所述基片的尺寸。

所述真空槽的深度為0.5mm。

所述弧形擋板的長度與基片的長度一致，所述弧形擋板的高度方向的弧長為1.5厘米。

本發明的大面積異形晶片勻膠均勻性控制裝置，在承片平臺上表面的中心位置設置一個定位槽，且在定位槽長度方向設置兩個定位臺階，用于基片定位；所述定位槽內部設置一個真空槽，用于更好地抽真空吸附基片；在定位槽寬度方向的兩側設置兩個弧形擋板，且弧形擋板的圓心指向承片平臺的中心方向，用于控制基片周邊氣流，提高勻膠均勻性。解決了半導體芯片制作中大面積異形基片勻膠不均勻的問題，能有效防止異形基片端面勻膠不均勻，顯著提高半導體芯片的性能及生產效率，本發明還具有成本低、易于實現的特點。

具體實施例：

如圖1所示，包括承片平臺1，在承片平臺1上表面的中心位置設置定位槽4，尺寸與基片一致，且在定位槽長度方向設置兩個定位臺階5，用于基片定位；所述定位槽4內部設置真空槽2，形狀與基片相似，尺寸小于基片，深度為0.5mm，用于更好地抽真空吸附基片；在定位槽4寬度方向的兩側設置兩個弧形擋板3，其長度與基片長度一致，弧長為1.5厘米，且弧形擋板的圓心指向承片平臺的中心方向，用于控制基片周邊氣流，有效防止異形基片端面勻膠不均的問題，從而提高勻膠的均勻性。

以上所述，僅為本發明較佳的具體實施方式，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明披露的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應該以權利要求書的保護范圍為準。