[發明專利]大面積異形晶片勻膠均勻性控制裝置有效
| 申請號: | 201310576932.6 | 申請日: | 2013-11-18 |
| 公開(公告)號: | CN103633005A | 公開(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發明(設計)人: | 黃歆;張雅;陳明和;楊思川 | 申請(專利權)人: | 北京中科飛鴻科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/68;H01L21/683;G03F7/16 |
| 代理公司: | 北京凱特來知識產權代理有限公司 11260 | 代理人: | 鄭立明;趙鎮勇 |
| 地址: | 100095 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 大面積 異形 晶片 均勻 控制 裝置 | ||
1.一種大面積異形晶片勻膠均勻性控制裝置,其特征在于,包括承片平臺,所述承片平臺上表面的中心位置設置一個貫通所述承載平臺的定位槽,所述定位槽長度方向的兩端分別設有定位臺階,所述定位槽內部設置一個真空槽,所述真空槽的底部設有抽真空孔,所述定位槽寬度方向的兩側設置分別設有弧形擋板,所述弧形擋板的弧形圓心指向所述承片平臺的中心方向。
2.根據權利要求1所述的大面積異形晶片勻膠均勻性控制裝置,其特征在于,所述定位槽的寬度尺寸與基片一致,所述定位臺階的長度小于所述基片的寬度,所述定位臺階的高度與所述基片相同,兩個所述定位臺階的內間距與所述基片的長度相同。
3.根據權利要求2所述的大面積異形晶片勻膠均勻性控制裝置,其特征在于,所述定位臺階的長度小于所述基片的寬度4mm。
4.根據權利要求1所述的大面積異形晶片勻膠均勻性控制裝置,其特征在于,所述真空槽的形狀與基片相似,所述真空槽的平面尺寸小于所述基片的尺寸。
5.根據權利要求4所述的大面積異形晶片勻膠均勻性控制裝置,其特征在于,所述真空槽的深度為0.5mm。
6.根據權利要求4所述的大面積異形晶片勻膠均勻性控制裝置,其特征在于,所述弧形擋板的長度與基片的長度一致,所述弧形擋板的高度方向的弧長為1.5厘米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





