[發(fā)明專利]單晶硅位錯(cuò)腐蝕劑及檢測(cè)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310576502.4
• 申請(qǐng)日: 2013-11-18
• 公開（公告）號(hào): CN103590113A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王新強(qiáng);鄧浩;馬自成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 銀川隆基硅材料有限公司;西安隆基硅材料股份有限公司;寧夏隆基硅材料有限公司;無錫隆基硅材料有限公司
• 主分類號(hào): C30B33/10
• 分類號(hào): C30B33/10;C23F1/24;G01N21/00
• 代理公司: 西安弘理專利事務(wù)所 61214
• 代理人: 羅笛

1.單晶硅位錯(cuò)腐蝕劑，其特征在于：由氫氟酸、硝酸和緩釋劑組成，所述緩釋劑為硼酸溶液。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅位錯(cuò)腐蝕劑，其特征在于：按體積分?jǐn)?shù)計(jì)，氫氟酸、硝酸和硼酸溶液的比例為1.0:3.0:3.0-10.0，其中，氫氟酸的質(zhì)量濃度為40-49%，硝酸的質(zhì)量濃度為65-68%，硼酸溶液的質(zhì)量濃度為10%。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶硅位錯(cuò)腐蝕劑，其特征在于：氫氟酸的質(zhì)量濃度為40-42%，硝酸的質(zhì)量濃度為65%，硼酸溶液的質(zhì)量濃度為10%。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的單晶硅位錯(cuò)腐蝕劑，其特征在于：按體積分?jǐn)?shù)計(jì)，氫氟酸、硝酸和緩釋劑的比例為1.0:3.0:5.5-6.5。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述單晶硅位錯(cuò)腐蝕劑進(jìn)行錯(cuò)位檢測(cè)的方法，其特征在于：將待檢測(cè)的單晶硅浸入所述單晶硅位錯(cuò)腐蝕劑中進(jìn)行腐蝕。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述單晶硅位錯(cuò)腐蝕劑進(jìn)行錯(cuò)位檢測(cè)的方法，其特征在于：待檢測(cè)的單晶硅為單晶硅棒，腐蝕時(shí)間為18分鐘至40分鐘。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述單晶硅位錯(cuò)腐蝕劑進(jìn)行錯(cuò)位檢測(cè)的方法，其特征在于：待檢測(cè)的單晶硅為單晶硅片，腐蝕時(shí)間為8分鐘至20分鐘。

8.根據(jù)權(quán)利要求5-7任一項(xiàng)所述單晶硅位錯(cuò)腐蝕劑進(jìn)行錯(cuò)位檢測(cè)的方法，其特征在于：將待檢測(cè)的單晶硅進(jìn)行腐蝕之后，對(duì)其進(jìn)行清洗，然后進(jìn)行觀察。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述單晶硅位錯(cuò)腐蝕劑進(jìn)行錯(cuò)位檢測(cè)的方法，其特征在于：所述觀察是用肉眼直接觀察或借助顯微鏡觀察。