[發明專利]一種測定取向硅鋼取向度的方法

有效

• 申請號: 201310576260.9
• 申請日: 2013-11-18
• 公開（公告）號: CN103558239A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 李長一;石文敏;郭小龍;方澤民;黎世德;毛炯輝;楊佳欣
• 申請（專利權）人: 武漢鋼鐵（集團）公司
• 主分類號: G01N23/20
• 分類號: G01N23/20
• 代理公司: 武漢開元知識產權代理有限公司 42104
• 代理人: 王和平;陳懿

技術領域

本發明涉及取向硅鋼的生產和研究領域，特別是涉及一種測定取向硅鋼取向度的方法。

背景技術

為了評價取向硅鋼的織構，人們提出了取向度的概念。但是，取向度這個概念并不為所有的從業人員所熟悉，例如，有的著述將晶粒相對于最易磁化方向<001>的平均偏離角定義為取向硅鋼的取向度，即

g=（α+β）/2???（1）

其中，g是取向硅鋼的取向度，α是<001>晶向在軋面上相對于軋向的偏離角，β是<001>晶向相對于軋面的傾角。

然而該著述又將取向度定義為試樣中平均偏離角為3°或7°以內的晶粒占整個試樣所有晶粒的百分比，顯然前后矛盾。

由于取向硅鋼通常是多晶體材料，故其取向度應該用<001>晶粒的面積分數或體積分數來表示。在實踐中，人們就是用偏離角小于或等于3°（高磁感取向硅鋼）和偏離角小于或等于7°（普通取向硅鋼）的晶粒的面積分數來表示取向度。即

取向度=<001>晶粒的體積百分數或面積百分數???（2）

所以，發明人認為（2）式才應是取向硅鋼的取向度的應有概念，偏離角不過是鑒定取向硅鋼的織構的一個參量。

按常規方法、以偏離角作為參量測量一個試樣的取向度，首先要利用金相腐蝕坑法（早期），或是EBSD（Electron?Back-Scattered?Diffraction，電子背向散射衍射法）法（近期）測得一百個以上晶粒的{hkl}（晶面指數，indices?of?crystallographic?plane）<uvw>（晶向指數，orientation?index）和一百個以上晶粒的面積，然后分別利用{hkl}<uvw>與<001>的關系計算每個晶粒的α、β值，最后計算有面積加權的{110}<001>織構所占的百分數——取向度，前后約需數十個小時，效率極低。

發明內容

本發明的目的是為了克服上述背景技術的不足，提供一種效率更高、統計學意義更為明顯的測定取向硅鋼取向度的方法。

本發明提供的一種測定取向硅鋼取向度的方法，包括如下步驟：步驟一、將鋼板切成多個長方形窄條，將多個長方形窄條疊摞成組合試樣，所述組合試樣的待測面由長方形窄條垂直于軋向的截面組成；步驟二、通過X-射線衍射儀測量待測面晶粒的<uvw>的晶軸密度；步驟三、將測得的待測面晶粒的<uvw>的晶軸密度帶入下述公式計算出組合試樣的取向度：G=P₀₀₁/∑P_uvw，其中，G是組合試樣的取向度，P₀₀₁和P_UVW分別是測得的<001>晶粒和其它<uvw>晶粒的晶軸密度。

由于取向硅鋼的電磁性能歸根結底取決于最易磁化的<001>的強度。因此，可以用<001>晶粒的晶軸密度的百分數來表征取向硅鋼的取向度。

在上述技術方案中，所述步驟二中，X-射線衍射儀通過織構分析反極圖法測量待測面晶粒的<uvw>的晶軸密度。

在上述技術方案中，所述步驟一中，所述組合試樣由30個長方形窄條疊摞而成。

本發明測定取向硅鋼取向度的方法，具有以下有益效果：按照本發明所采用的織構分析反極圖法測量一個試樣的取向度，通常僅需約半個小時，試樣的制備也較方便，極大地提高了效率，特別是本發明不僅測定高斯織構的參數，還能夠測量所有能夠測量到的對磁性有影響的<uvw>晶粒的密度，在約短短半個小時內測量的晶粒數遠大于現有技術數十小時以上測量的晶粒數，相對于現有技術具有統計學意義上的優勢，可以廣泛應用于取向硅鋼的生產和研究領域。

附圖說明

圖1為本發明測定取向硅鋼取向度的方法中X-射線衍射儀測量組合試樣的示意圖；

圖2為本發明測定取向硅鋼取向度的方法的實施例取向度與磁感應強度的關系示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖及實施例對本發明作進一步的詳細描述，但該實施例不應理解為對本發明的限制。

本發明所采用的試樣為高磁感取向硅鋼，測定取向硅鋼取向度的方法包括如下步驟：

步驟一、將高磁感應硅鋼鋼板切成30個長方形窄條1，將30個長方形窄條1疊摞成組合試樣2，所述組合試樣2的待測面2.1由長方形窄條垂直于軋向的截面組成。