[發(fā)明專利]一種LED光源及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310576070.7 | 申請日: | 2013-11-18 |
| 公開(公告)號: | CN103836409A | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 孫明;莊文榮;陳興保;戴堅 | 申請(專利權(quán))人: | 上海亞浦耳照明電器有限公司;孫明;戴堅 |
| 主分類號: | F21S2/00 | 分類號: | F21S2/00;F21V23/00;F21V23/06;F21V29/00;F21Y101/02 |
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| 地址: | 201201 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 led 光源 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
?本發(fā)明涉及一種LED光源及其制備方法,屬于LED光源制備技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
光源就是發(fā)光二極管(LED)為發(fā)光體的光源。發(fā)光二極管發(fā)明于20世紀(jì)60年代,在隨后的數(shù)十年中,其基本用途是作為收錄機等電子設(shè)備的指示燈。這種燈泡具有效率高、壽命長的特點,可連續(xù)使用10萬小時,比普通白熾燈泡長100倍。在未來5年,這種光源將成為下一代照明的主流產(chǎn)品。
從發(fā)光效率角度,LED經(jīng)過幾十年的技術(shù)改良,其發(fā)光效率有了較大的提升。白熾燈、鹵鎢燈光效為12-24流明/瓦,熒光燈50~70流明/瓦,鈉燈90~140流明/瓦,大部分的耗電變成熱量損耗。LED光效經(jīng)改良后已達(dá)到達(dá)50~200流明/瓦或更高,而且其光的單色性好、光譜窄,無需過濾可直接發(fā)出有色可見光。同時,世界各國仍然在做加緊提高LED光效方面的研究,在不遠(yuǎn)的將來其發(fā)光效率將有更大的提高。
從能源節(jié)約角度,LED單管功率0.03~0.06瓦,采用直流驅(qū)動,單管驅(qū)動電壓1.5~3.5伏,電流15~18毫安,反應(yīng)速度快,可在高頻操作。同樣照明效果的情況下,耗電量是白熾燈泡的萬分之一,是熒光燈管的二分之一。據(jù)日本估計,如采用光效比熒光燈還要高兩倍的LED替代日本一半的白熾燈和熒光燈。每年可節(jié)約相當(dāng)于60億升原油。就橋梁護欄燈例,同樣效果的一支日光燈40多瓦,而采用LED每支的功率只有8瓦,而且可以七彩變化。
為使LED光源更簡單、便捷地運用于替代傳統(tǒng)光源,各大廠家、研發(fā)機構(gòu)均在不斷地對LED光源進(jìn)行改進(jìn)或重新設(shè)計結(jié)構(gòu),使其更符合市場需求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種新型LED光源及其制備方法,所述的新型LED光源包括玻璃殼、兩顆或兩顆以上LED芯片、玻璃基板及電極、引線,LED芯片封裝于玻璃基板上,被玻璃殼包封,玻璃基板表面濺鍍有AlN作為散熱層,并且利用ITO透光性及導(dǎo)電性,在需要電性導(dǎo)通的LED芯片與芯片之間、芯片與引線之間部位濺鍍ITO作為電路圖,LED芯片固定于玻璃基板的ITO上,LED芯片通過ITO電路圖實現(xiàn)芯片與芯片之間、LED芯片與電源之間的電性導(dǎo)通,封裝于玻璃基板的LED芯片及玻璃基板均密封在玻璃殼內(nèi),使LED芯片與外界電源電性導(dǎo)通的基板引線分別與電極連接,電極上的引出線與電源連接,固定LED芯片的玻璃基板密封于玻璃殼內(nèi),玻璃基板引線端及基板引線、電極及電極上的引出線被融封在玻璃殼的一端,電極上的引出線從融封的玻璃殼端向外引出。
本發(fā)明的LED芯片的P、N極分別直接固定于相應(yīng)的ITO電路圖上,實現(xiàn)電性導(dǎo)通連接。所述的直接固定,可以是LED芯片的P、N極通過透明導(dǎo)電膠與ITO固定并電性導(dǎo)通連接;也可以是LED芯片的P、N極通過錫膏與ITO固定,經(jīng)回流焊進(jìn)行電性導(dǎo)通連接。
本發(fā)明的LED光源,其LED芯片固定于ITO上后直接實現(xiàn)了芯片與芯片直接,芯片與電源之間的電性導(dǎo)通,所以LED芯片固定后直接在玻璃基板及LED芯片表面涂覆熒光粉,本發(fā)明的玻璃殼表面可進(jìn)一步涂覆一層熒光粉層,可用于對LED芯片在工作狀態(tài)下發(fā)光的二次激發(fā),同時也因LED芯片上的部分熒光粉有可能在玻璃殼融封時受溫度影響失活,在玻璃殼表面再加設(shè)一層熒光粉可以預(yù)防LED芯片所發(fā)射的光激發(fā)未完全導(dǎo)致的藍(lán)光泄露。為了便于LED光源運用于不同的燈內(nèi),玻璃殼體積V,優(yōu)選0.1cm3<V<15cm3。
本發(fā)明的LED光源其由于LED芯片的P、N極直接固定于基板的ITO上的,在后續(xù)在LED封裝體上涂覆熒光粉時LED芯片的P、N極側(cè)熒光粉涂覆不到,所以本發(fā)明所述的LED芯片,可以在LED芯片制程中,LED芯片P/N極側(cè)在芯片切割后未裂片時對P/N極以外區(qū)域進(jìn)行濺鍍熒光粉。
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