[發(fā)明專利]一種LED光源及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310576070.7
• 申請日: 2013-11-18
• 公開（公告）號: CN103836409A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫明;莊文榮;陳興保;戴堅(jiān)
• 申請（專利權(quán)）人: 上海亞浦耳照明電器有限公司;孫明;戴堅(jiān)
• 主分類號: F21S2/00
• 分類號: F21S2/00;F21V23/00;F21V23/06;F21V29/00;F21Y101/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種LED光源，其特征在于包括玻璃殼、兩顆或兩顆以上LED芯片、玻璃基板及電極、引線，LED芯片封裝于玻璃基板上，被玻璃殼包封，玻璃基板表面濺鍍有AlN作為散熱層，需要電性導(dǎo)通的LED芯片與芯片之間、芯片與引線之間部位濺鍍ITO作為電路圖，LED芯片固定于玻璃基板的ITO上，LED芯片通過ITO電路圖實(shí)現(xiàn)芯片與芯片之間、LED芯片與電源之間的電性導(dǎo)通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED光源，其特征在于LED芯片的P、N極分別直接固定于相應(yīng)的ITO電路圖上，實(shí)現(xiàn)電性導(dǎo)通連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED光源，其特征在于LED芯片的P、N極通過透明導(dǎo)電膠與ITO固定并電性導(dǎo)通連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED光源，其特征在于LED芯片的P、N極通過錫膏與ITO固定并電性導(dǎo)通連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED光源，其特征在于所述的玻璃殼表面涂覆有熒光粉層，玻璃殼體積V，0.1cm3＜V＜15cm3。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED光源，其特征在于玻璃殼上進(jìn)一步包含有一個充氣、排氣口，通過充氣、排氣口，玻璃殼內(nèi)為真空或充有氮?dú)夂秃獾幕旌蠚怏w，充氣、排氣口熔融密封。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED光源，其特征的在于所述的玻璃基板在封裝LED芯片時未使用熒光粉，熒光粉均勻涂覆于密封玻璃殼表面。

8.權(quán)利要求1所述的LED光源的制備方法：

選擇玻璃基板進(jìn)行乙醇清洗后濺鍍AlN層；

濺鍍完AlN后直接在AlN層上需要電性導(dǎo)通的LED芯片與芯片之間、芯片與引線之間部位濺鍍ITO作為電路，?ITO與ITO電路之間互不導(dǎo)通；

在ITO電路兩端分別固定一個LED芯片的P極和另一個LED芯片的N極；

ITO與ITO電路之間通過固定的LED芯片相互導(dǎo)通；

對固定完的LED芯片表面及玻璃基板各表面進(jìn)行涂覆熒光粉；

把封裝好LED芯片的玻璃基板與玻璃殼熔封固定，并在玻璃殼融封部位引出引線。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED光源的制備方法，其特征在于玻璃基板通過旋轉(zhuǎn)進(jìn)行濺鍍ITO，旋轉(zhuǎn)頻率為40-60Hz，Sn摻雜量控制在7%-12%之間，ITO的厚度為20nm-200nm之間，氧流量控制在2-7sccm，濺鍍ITO后無退火工序。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED光源的制備方法，其特征在于Sn摻雜量控制在9%-11%之間，ITO的厚度為140nm-180nm之間，氧流量控制在3-5sccm。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED光源的制備方法，其特征在于LED芯片的P/N極與ITO電路之前是通過透明的導(dǎo)電膠固定或者通過錫焊經(jīng)回流焊固定。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED光源的制備方法，其特征在于玻璃殼上進(jìn)一步包含有一個充氣、排氣口，玻璃殼在引線端熔封后，通過充氣、排氣口，玻璃殼內(nèi)為真空或充有氮?dú)夂秃獾幕旌蠚怏w，充氣、排氣口熔融密封。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的LED光源的制備方法，其特征在于玻璃殼內(nèi)充的氮?dú)夂秃獾幕旌蠚怏w，體積比為5:1-2:1之間，室溫下玻璃殼內(nèi)的氣體壓力控制在0.05-0.15MPa之間。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED光源的制備方法，其特征在于所述的LED芯片，為在LED芯片制程中，LED芯片P/N極側(cè)在芯片切割未裂片時對P/N極以外區(qū)域進(jìn)行濺鍍熒光粉。

15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于玻璃殼密封處理后經(jīng)冷卻后在玻璃殼表面涂覆熒光粉層。