[發明專利]靜電放電保護裝置和用于制造靜電放電保護裝置的方法在審
| 申請號: | 201310574597.6 | 申請日: | 2013-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN103915420A | 公開(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發明(設計)人: | 魏圣權;劉永錫;閔慶福;沈原徹;權寧度 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/60 | 分類號: | H01L23/60 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;張英 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 放電 保護裝置 用于 制造 方法 | ||
1.一種靜電放電保護裝置,包括:
基板;
電極,所述電極被設置成在所述基板上彼此間隔開;以及
靜電放電吸收層,所述靜電放電吸收層具有形成在所述基板上的不規則金屬塊狀體。
2.根據權利要求1所述的靜電放電保護裝置,其中,每個所述金屬塊狀體由選自由鈀(Pd)、銠(Rh)、銀(Ag)、金(Au)、鈷(Co)、鎳(Ni)和銅(Cu)組成的組中的任何一種金屬制成。
3.根據權利要求1所述的靜電放電保護裝置,進一步包括覆蓋所述基板和所述電極的絕緣層,其中,所述金屬塊狀體沿著所述基板與所述絕緣層之間的界面形成。
4.根據權利要求1所述的靜電放電保護裝置,其中,所述金屬塊狀體無規律地分布在所述基板和所述電極上。
5.根據權利要求1所述的靜電放電保護裝置,其中,所述金屬塊狀體具有50nm至1μm的寬度。
6.根據權利要求1所述的靜電放電保護裝置,其中,所述金屬塊狀體的占用面積為相對于所述基板5%至85%。
7.根據權利要求1所述的靜電放電保護裝置,其中,所述金屬塊狀體是通過在覆蓋所述基板的金屬薄膜上進行熱處理形成的生成物。
8.根據權利要求1所述的靜電放電保護裝置,進一步包括覆蓋所述電極的絕緣層,其中,所述絕緣層由樹脂類材料制成。
9.一種用于制造靜電放電保護裝置的方法,所述方法包括:
制備基板;
在所述基板上形成被設置為彼此間隔開的電極;
形成覆蓋所述基板的金屬薄膜;和
熱處理所述金屬薄膜以將所述金屬薄膜轉變成不規則金屬塊狀體。
10.根據權利要求9所述的方法,其中,在形成所述金屬薄膜期間,進行濺射處理、電子束蒸發處理、熱蒸發處理、激光分子束外延(L-MBE)處理和脈沖激光沉積(PLD)中的至少一種。
11.根據權利要求9所述的方法,其中,所述金屬薄膜形成為具有10nm至200nm的厚度。
12.根據權利要求9所述的方法,其中,所述金屬薄膜的所述熱處理包括在300℃至500℃的溫度下加熱所述金屬薄膜。
13.根據權利要求9所述的方法,其中,進行所述金屬薄膜的所述熱處理以使所述金屬塊狀體具有50nm至1μm的寬度。
14.根據權利要求9所述的方法,其中,進行所述金屬薄膜的所述熱處理以使所述金屬塊狀體的占用面積為相對于所述基板5%至85%。
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