[發明專利]激光熱處理設備

有效

• 申請號: 201310572113.4
• 申請日: 2013-11-13
• 公開（公告）號: CN103803945A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 梁相熙;沈亨基;羅玉鈞;安珍榮
• 申請（專利權）人: AP系統股份有限公司;三星顯示有限公司
• 主分類號: C04B32/02
• 分類號: C04B32/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

相關申請案的交叉參考

本申請案主張2012年11月13日申請的第10-2012-0128137號韓國專利申請案的優先權以及由此產生的所有權益，所述專利申請案的內容以引用方式全部并入。

技術領域

本發明涉及一種激光熱處理設備，且更明確地說，涉及一種在使用激光進行用于結晶的熱處理的同時防止晶片暴露于氧之下的激光熱處理設備。

背景技術

在制造液晶顯示器或太陽能燈裝置時，一般伴隨著用于使非晶多晶硅結晶的熱處理。在這種情況下，優選的是，在使用具有低熔點的玻璃晶片時使用激光來進行結晶。在這種情況下，大氣氧(atmospheric?oxygen)與硅偶聯，由此形成氧化硅。

圖1是顯示一般激光熱處理設備的示意圖。參考圖1，窗口20安裝在反應腔室10的頂面上，且激光發射器40安裝在窗口20上方。從激光發射器40輸出的激光束41穿過窗口20且發射到反應腔室10中的晶片W。

圖2(a)和圖2(b)是顯示激光束41的視圖。圖2(a)是晶片W的俯視圖，且圖2(b)是晶片W的透視圖。如圖2(a)和圖2(b)中所示，激光束41以線狀發射，由此形成為簾形狀。在垂直于或稍傾斜于激光束41的平面的方向上水平地傳送晶片W，其方式為使得激光束41發射到晶片W的前表面。在這種情況下，當激光束41發射到的部分A暴露于氧氣氛(oxygen?atmosphere)中時，氣相沉積在晶片W的表面上的多晶硅在進行結晶時不是形成晶體硅(crystalline?silicon)，而是與氧偶聯且形成氧化硅。

[引用的參考文獻]

文件1：第2011-0010252號韓國專利公開

發明內容

本發明提供一種在使用激光進行用于結晶的熱處理的同時能夠防止晶片暴露于氧之下的激光熱處理設備。本發明還提供一種能夠根據多個惰性氣體注射方向均一地注射惰性氣體的激光熱處理設備。本發明還提供一種能夠根據晶片的傳送速度控制惰性氣體的注射的激光熱處理設備。

根據示范性實施例，一種激光熱處理設備包含：反應腔室，所述反應腔室允許晶片支撐件位于其內部空間中且包括設置在其頂面上的窗口；部分除氧模塊(oxygen?partial?degassing?module；OPDM)，所述部分除氧模塊位于所述窗口與所述晶片支撐件之間且包括注射狹縫，惰性氣體經由所述注射狹縫而注入；激光發射器，所述激光發射器經由所述窗口將激光束發射到所述反應腔室的內部空間中；圓筒，所述圓筒安裝在所述OPDM外部且包括入射狹縫，所述入射狹縫在所述圓筒的側壁上沿著縱向方向形成為長的；惰性氣體注射管，所述惰性氣體注射管插入到所述圓筒中且允許所述惰性氣體經由所述注射狹縫流入；惰性氣體供應管，所述惰性氣體供應管分別向所述惰性氣體注射管的一端和另一端供應所述惰性氣體；流量計，所述流量計分別測量經由所述一端和所述另一端注射的所述惰性氣體的注射量；緩沖流徑，所述緩沖流徑安裝在所述圓筒與所述OPDM之間并且其一端連接到所述注射狹縫且另一端連接到所述入射狹縫；以及注射控制單元，所述注射控制單元根據所述惰性氣體的測量注射量來個別地控制所述惰性氣體供應管的一端和另一端的注射量。

所述OPDM可包含：底面，在所述底面上形成射束發射狹縫，所述激光束穿過所述射束發射狹縫；以及側壁，在所述側壁中，沿著所述射束發射狹縫的縱向方向形成所述注射狹縫。

所述惰性氣體供應管可包含：第一惰性氣體供應管，所述第一惰性氣體供應管向所述惰性氣體注射管的所述一端供應所述惰性氣體；以及第二惰性氣體供應管，所述第二惰性氣體供應管向所述惰性氣體注射管的所述另一端供應所述惰性氣體。并且，所述流量計可包含：第一流量計，所述第一流量計測量流經所述第一惰性氣體供應管的所述惰性氣體的流量；以及第二流量計，所述第二流量計測量流經所述第二惰性氣體供應管的所述惰性氣體的流量。

所述注射控制單元可包含：質量流量控制閥，所述質量流量控制閥分別控制流經所述第一惰性氣體供應管和所述第二惰性氣體供應管的所述惰性氣體的流量；以及注射控制器，所述注射控制器根據所述第一惰性氣體供應管和所述第二惰性氣體供應管的相應測量流量來控制所述質量流量控制閥。

附圖說明

可從結合附圖所作的以下描述中更詳細地理解示范性實施例，其中：

圖1是顯示一般激光熱處理設備的示意圖。

圖2(a)和圖2(b)是顯示激光熱處理設備中的激光束的視圖。

圖3是顯示根據示范性實施例的激光熱處理設備的截面圖。