[發明專利]激光熱處理設備

有效

• 申請號: 201310572113.4
• 申請日: 2013-11-13
• 公開（公告）號: CN103803945A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 梁相熙;沈亨基;羅玉鈞;安珍榮
• 申請（專利權）人: AP系統股份有限公司;三星顯示有限公司
• 主分類號: C04B32/02
• 分類號: C04B32/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種激光熱處理設備，其包括：

反應腔室，所述反應腔室允許晶片支撐件位于其內部空間中且包括設置在其頂面上的窗口；

部分除氧模塊，所述部分除氧模塊位于所述窗口與所述晶片支撐件之間且包括注射狹縫，惰性氣體經由所述注射狹縫而注入；

激光發射器，所述激光發射器經由所述窗口將激光束發射到所述反應腔室的所述內部空間中；

圓筒，所述圓筒安裝在所述部分除氧模塊外部且包括入射狹縫，所述入射狹縫在所述圓筒的側壁上沿著縱向方向形成為長的；

惰性氣體注射管，所述惰性氣體注射管插入到所述圓筒中且允許所述惰性氣體經由所述注射狹縫流入；

惰性氣體供應管，所述惰性氣體供應管分別向所述惰性氣體注射管的一端和另一端供應所述惰性氣體；

流量計，所述流量計分別測量經由所述惰性氣體注射管的一端和另一端注射的所述惰性氣體的注射量；

緩沖流徑，所述緩沖流徑安裝在所述圓筒與所述部分除氧模塊之間并且其一端連接到所述注射狹縫且另一端連接到所述入射狹縫；以及

注射控制單元，所述注射控制單元根據所述惰性氣體的測量注射量來個別地控制所述惰性氣體注射管的一端和另一端的注射量。

2.根據權利要求1所述的設備，其特征在于所述部分除氧模塊包括：

底面，在所述底面上形成射束發射狹縫，所述激光束穿過所述射束發射狹縫；以及

側壁，在所述側壁中，沿著所述射束發射狹縫的縱向方向形成所述注射狹縫。

3.根據權利要求2所述的設備，其特征在于所述惰性氣體供應管包括：

第一惰性氣體供應管，所述第一惰性氣體供應管向所述惰性氣體注射管的一端供應所述惰性氣體；以及

第二惰性氣體供應管，所述第二惰性氣體供應管向所述惰性氣體注射管的另一端供應所述惰性氣體，以及

其中所述流量計包括：

第一流量計，所述第一流量計測量流經所述第一惰性氣體供應管的所述惰性氣體的流量；以及

第二流量計，所述第二流量計測量流經所述第二惰性氣體供應管的所述惰性氣體的流量。

4.根據權利要求3所述的設備，其特征在于所述注射控制單元包括：

質量流量控制閥，所述質量流量控制閥分別控制流經所述第一惰性氣體供應管和所述第二惰性氣體供應管的所述惰性氣體的所述流量；以及

注射控制器，所述注射控制器根據所述第一惰性氣體供應管和所述第二惰性氣體供應管的相應測量流量來控制所述質量流量控制閥。

5.根據權利要求4所述的設備，其特征在于所述注射控制器控制流入所述第一惰性氣體供應管和所述第二惰性氣體供應管中的所述惰性氣體的流量，使其為均一的。

6.根據權利要求5所述的設備，其特征在于，當流經所述第一惰性氣體供應管的所述惰性氣體的流量大于流經所述第二惰性氣體供應管的所述惰性氣體的流量時，所述注射控制器控制供應給所述第一惰性氣體供應管的所述惰性氣體的所述流量使其逐漸變小，直到流入所述第一惰性氣體供應管和所述第二惰性氣體供應管中的所述惰性氣體的流量變成均一為止。

7.根據權利要求4所述的設備，其特征在于所述注射控制器根據所述晶片支撐件的傳送速度來控制供應給所述第一惰性氣體供應管和所述第二惰性氣體供應管的所述惰性氣體的流量。

8.根據權利要求7所述的設備，其特征在于在所述晶片支撐件的所述傳送速度增加時，所述注射控制器允許供應給所述第一惰性氣體供應管和所述第二惰性氣體供應管的所述惰性氣體的流量增加。

9.根據權利要求7所述的設備，其特征在于在所述晶片支撐件的所述傳送速度小于300m／s時所述注射控制器不用連續地監視供應給所述第一惰性氣體供應管和所述第二惰性氣體供應管的所述惰性氣體的流量，且在所述晶片支撐件的所述傳送速度為300m／s或300m／s以上時連續地監視供應給所述第一惰性氣體供應管和所述第二惰性氣體供應管的所述惰性氣體的所述流量以便允許供應均一的流量。