[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 201310572033.9
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN104638141A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;張振華;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市隆天聯鼎知識產權代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美;劉耿

技術領域

本發明涉及光電子器件領域，尤其涉及一種有機電致發光器件。本發明還涉及該有機電致發光器件的制備方法。

背景技術

1987年，美國Eastman?Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke報道了有機電致發光研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發光器件（OLED），其在10V下亮度達到1000cd/m²，其發光效率為1.51lm/W、壽命大于100小時。

但在現有的有機電致發光器件中，電子注入層是重要的功能層之一，在制造過程中，由于電子注入層所選材料的隔絕水氧能力不強，水汽會經由裂縫滲入而影響薄膜晶體管的電性。同時所選材料也不利于有利于電子的注入，故電子的傳輸速率較低，比空穴傳輸速率低兩三個數量級，因此，極易造成激子復合幾率的低下，并且易使其復合的區域不在發光區域內，從而使發光效率降低。

發明內容

本發明的目的在于解決上述現有技術存在的問題和不足，提供一種有機電致發光器件及其制備方法以提高有機電致發光器件的出光效率。

本發明針對上述技術問題而提出的技術方案為：一種有機電致發光器件，該有機電致發光器件為層狀結構，該層狀結構為：依次層疊的陽極導電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層，所述電子注入層包括銫鹽層、銣化合物摻雜層與酞菁金屬化合物層；其中，

所述銫鹽層的材質為氟化銫、碳酸銫、疊氮銫或氯化銫；

所述銣化合物摻雜層的材質為銣化合物與錸化合物，所述銣化合物為碳酸銣、氯化銣、硝酸銣或硫酸銣，所述錸化合物為七氧化二錸、三氧化錸、二氧化錸或氧化二錸；

所述酞菁金屬化合物層的材質為酞菁銅、酞菁鋅或酞菁鎂。

進一步地，所述銣化合物與所述錸化合物的摻雜質量比為1:1～5:1。

進一步地，所述銫鹽層的厚度為20～40nm，所述銣化合物摻雜層的厚度為20～80nm，所述酞菁金屬化合物層的厚度為20～50nm。

進一步地，

所述空穴注入層的材質為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩；

所述空穴傳輸層的材質為1，1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N′-(1-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-聯苯二胺；

所述發光層的材質為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯或8-羥基喹啉鋁；

所述電子傳輸層的材質為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；

所述陰極的材質為銀、鋁、鉑或金。

本發明還提出一種有機電致發光器件的制備方法，其包括如下步驟：

（a）在清潔后的玻璃上通過磁控濺射設備來制備導電陽極薄膜而得到陽極導電基板，再在所述陽極導電基板上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層；

（b）使用熱阻蒸鍍設備在步驟（a）制得的電子傳輸層上熱阻蒸鍍制備銫鹽層，然后在所述銫鹽層上熱阻蒸鍍制備銣化合物摻雜層，最后在所述銣化合物摻雜層上熱阻蒸鍍制備酞菁金屬化合物層，從而得到電子注入層；其中，

所述銫鹽層的材質為氟化銫、碳酸銫、疊氮銫或氯化銫；

所述銣化合物摻雜層的材質為摻雜質量比為1:1～5:1的銣化合物與錸化合物，所述銣化合物為碳酸銣、氯化銣、硝酸銣或硫酸銣，所述錸化合物為七氧化二錸、三氧化錸、二氧化錸或氧化二錸；

所述酞菁金屬化合物層的材質為酞菁銅、酞菁鋅或酞菁鎂。

（c）在步驟（b）制得的電子注入層上蒸鍍制備陰極層，從而得到所述的有機電致發光器件。

進一步地，在所述步驟（a）中，所述磁控濺射設備的加速電壓為300～800V，磁場為50～200G，功率密度為1～40W/cm²；所述空穴傳輸層、發光層以及電子傳輸層的蒸鍍速率為0.1～1nm/s。

進一步地，在所述步驟（b）中，所述熱阻蒸鍍設備的蒸鍍速率為0.1～1nm/s，所述銫鹽層的厚度為20～40nm，所述銣化合物摻雜層的厚度為20～80nm，所述酞菁金屬化合物層的厚度為20～50nm。

進一步地，在所述步驟（c）中，所述陰極層的蒸鍍速率為1～10nm/s。

所述電子注入層的各組分的性能如下：