[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310572033.9
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號(hào): CN104638141A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;黃輝;張振華;王平
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市隆天聯(lián)鼎知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美;劉耿

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件為層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)為：依次層疊的陽極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極層，其特征在于，所述電子注入層包括銫鹽層、銣化合物摻雜層與酞菁金屬化合物層；其中，

所述銫鹽層的材質(zhì)為氟化銫、碳酸銫、疊氮銫或氯化銫；

所述銣化合物摻雜層的材質(zhì)為銣化合物與錸化合物，所述銣化合物為碳酸銣、氯化銣、硝酸銣或硫酸銣，所述錸化合物為七氧化二錸、三氧化錸、二氧化錸或氧化二錸；

所述酞菁金屬化合物層的材質(zhì)為酞菁銅、酞菁鋅或酞菁鎂。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述銣化合物與所述錸化合物的摻雜質(zhì)量比為1:1~5:1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述銫鹽層的厚度為20~40nm，所述銣化合物摻雜層的厚度為20~80nm，所述酞菁金屬化合物層的厚度為20~50nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，

所述空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩；

所述空穴傳輸層的材質(zhì)為1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N′-(1-萘基)-?N,N′-二苯基-4,4′-聯(lián)苯二胺；

所述發(fā)光層的材質(zhì)為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁；

所述電子傳輸層的材質(zhì)為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；

所述陰極的材質(zhì)為銀、鋁、鉑或金。

5.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（a）在清潔后的玻璃上通過磁控濺射設(shè)備來制備導(dǎo)電陽極薄膜而得到陽極導(dǎo)電基板，再在所述陽極導(dǎo)電基板上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層；

（b）使用熱阻蒸鍍設(shè)備在步驟（a）制得的電子傳輸層上熱阻蒸鍍制備銫鹽層，然后在所述銫鹽層上熱阻蒸鍍制備銣化合物摻雜層，最后在所述銣化合物摻雜層上熱阻蒸鍍制備酞菁金屬化合物層，從而得到電子注入層；其中，

所述銫鹽層的材質(zhì)為氟化銫、碳酸銫、疊氮銫或氯化銫；

所述銣化合物摻雜層的材質(zhì)為摻雜質(zhì)量比為1:1~5:1的銣化合物與錸化合物，所述銣化合物為碳酸銣、氯化銣、硝酸銣或硫酸銣，所述錸化合物為七氧化二錸、三氧化錸、二氧化錸或氧化二錸；

所述酞菁金屬化合物層的材質(zhì)為酞菁銅、酞菁鋅或酞菁鎂；

（c）在步驟（b）制得的電子注入層上蒸鍍制備陰極層，從而得到所述的有機(jī)電致發(fā)光器件。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟（a）中，所述磁控濺射設(shè)備的加速電壓為300~800V，磁場為50~200G，功率密度為1~40?W/cm²；所述空穴傳輸層、發(fā)光層以及電子傳輸層的蒸鍍速率為0.1~1nm/s。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟（b）中，所述熱阻蒸鍍設(shè)備的蒸鍍速率為0.1~1nm/s，所述銫鹽層的厚度為20~40nm，所述銣化合物摻雜層的厚度為20~80nm，所述酞菁金屬化合物層的厚度為20~50nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟（c）中，所述陰極層的蒸鍍速率為1~10nm/s。