[發明專利]芯片布置和用于制造芯片布置的方法

有效

• 申請號: 201310568395.0
• 申請日: 2013-11-15
• 公開（公告）號: CN103824830B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: E.菲爾古特;J.赫格勞爾;R.奧特倫巴;B.勒默;K.席斯;X.施勒格爾;J.施雷德爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 王岳,胡莉莉

1.一種芯片布置，其包括：

具有第一載體側和第二載體側的載體，其中所述第一載體側與所述第二載體側相對；

至少部分被第一灌封材料包圍的芯片，其中所述芯片的接觸焊盤被設置在所述載體之上且電接觸到所述載體的所述第一載體側，其中所述第一灌封材料被形成在所述第一載體側和所述第二載體側之上；其中所述第一灌封材料形成所述第二載體側上的至少一個腔的側壁；以及

至少部分形成在所述第一灌封材料和所述載體中的至少一個之上的第二灌封材料，其中所述第二灌封材料被形成在所述第二載體側之上的腔中，并且其中所述第一和第二灌封材料包括不同的材料。

2.根據權利要求1的芯片布置，

其中所述第一灌封材料和所述第二灌封材料中的一個包括層壓制件；以及

其中所述第一灌封材料和所述第二灌封材料中的另一個包括填充的環氧樹脂。

3.根據權利要求1的芯片布置，

其中所述第一灌封材料包括層壓制件和環氧樹脂中的至少一個；以及

其中所述第二灌封材料包括熱界面材料。

4.根據權利要求3的芯片布置，其中，

所述熱界面材料具有比層壓制件和環氧樹脂中的至少一個更高的導熱率。

5.根據權利要求3的芯片布置，還包括：

通過形成在第一載體側和第二載體側之上的第一灌封材料和載體形成的通孔；以及

形成在所述通孔中的距離固定器，其中所述距離固定器被所述第一灌封材料包圍。

6.根據權利要求1的芯片布置，

其中所述載體包括導電材料。

7.根據權利要求1的芯片布置，

其中所述芯片包括功率半導體芯片、半導體邏輯芯片和半導體存儲器芯片中的至少一個。

8.根據權利要求1的芯片布置，

其中所述接觸焊盤被形成在所述芯片的底側之上；以及

其中所述芯片的所述底側被粘附到所述載體。

9.根據權利要求1的芯片布置，

其中另一接觸焊盤被形成在所述芯片的頂側之上，其中所述芯片的底側被粘附到所述載體；并且

其中所述第一灌封材料被形成在所述芯片的頂側之上以及在所述芯片的一個或多個側壁之上。

10.根據權利要求9的芯片布置，還包括：

導電引線；

其中所述導電引線被電連接到所述另一接觸焊盤。

11.根據權利要求1的芯片布置，

其中所述第一灌封材料和所述第二灌封材料中的每個包括不同的電絕緣材料。

12.根據權利要求1的芯片布置，

其中所述第一灌封材料包括層壓制件和環氧樹脂中的至少一個；以及

其中所述第二灌封材料包括熱塑性材料。

13.根據權利要求1的芯片布置，

其中所述第一灌封材料包括層壓制件；以及

其中所述第二灌封材料包括環氧樹脂。

14.根據權利要求2的芯片布置，

其中所述填充的環氧樹脂包括填充顆粒，

其中所述填充顆粒包括金屬。

15.根據權利要求2的芯片布置，

其中所述填充的環氧樹脂包括具有比所述層壓制件更高的導熱率。

16.根據權利要求2的芯片布置，

其中所述填充的環氧樹脂包括具有比所述層壓制件更高的機械硬度。

17.根據權利要求2的芯片布置，

其中所述填充的環氧樹脂具有比所述層壓制件更大的電磁屏蔽屬性。