[發明專利]芯片布置和用于制造芯片布置的方法

有效

• 申請號: 201310568395.0
• 申請日: 2013-11-15
• 公開（公告）號: CN103824830B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: E.菲爾古特;J.赫格勞爾;R.奧特倫巴;B.勒默;K.席斯;X.施勒格爾;J.施雷德爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 王岳,胡莉莉

技術領域

各種實施例總體上涉及芯片布置和用于制造芯片布置的方法。

背景技術

用于功率半導體的外殼需要對于半導體芯片的良好熱和保護性能。如圖1中所示，現在的功率半導體器件外殼可以基于芯片102、引線框104和用于芯片灌封的環氧樹脂模塑化合物。接合線108和焊接112也可以被用在典型芯片封裝中。此外，各種需求被加于芯片灌封材料。應該滿足針對充分芯片保護的化學、電氣和機械需求。這可能導致制造成本的顯著上升，其中引線框和環氧樹脂模塑化合物趨向于主導外殼的總成本。

發明內容

各種實施例提供一種芯片布置，其包括：載體；設置在所述載體之上的芯片，所述芯片包括一個或多個接觸焊盤，其中所述一個或多個接觸焊盤的第一接觸焊盤電接觸到所述載體；至少部分包圍所述芯片的第一灌封材料；以及至少部分包圍所述第一灌封材料的第二灌封材料。

附圖說明

在附圖中，相似的參考字符通常指代遍及不同視圖的相同部分。附圖不必按照比例繪制，而是通常將重點放在說明本發明的原理上。在下面的描述中，參考下面的附圖來描述本發明的各種實施例，在其中：

圖1示出典型功率封裝的構造。

圖2示出根據一個實施例用于制造芯片布置的方法。

圖3示出根據各種實施例的芯片布置。

圖4A至4D示出根據各種實施例用于制造芯片布置的方法。

圖5A至5C示出根據各種實施例用于制造芯片布置的方法的圖示。

圖6示出根據各種實施例的芯片布置。

圖7示出根據各種實施例的芯片布置。

圖8A至8C示出根據各種實施例用于制造芯片布置的方法。

圖9示出根據一個實施例用于制造芯片布置的方法。

具體實施方式

下面的具體實施方式涉及通過圖示方式示出具體細節的附圖和可以在其中實施本發明的實施例。

詞語“示例性”在這里被用來意指“充當示例、實例或圖例”等等。在這里描述為“示例性”的任何實施例或設計不必解釋為比其他實施例或設計的優選或有利。

詞語“之上”在這里可以被用來描述在側或表面“之上”形成特征（例如層），并且可以被用來意指該特征（例如層）可以 “直接”形成在所暗示的側或表面上，例如與所暗示的側或表面直接接觸。詞語“之上”在這里也可以被用來描述在側或表面“之上”形成特征（例如層），并且可以被用來意指該特征（例如層）可以 “間接”形成在所暗示的側或表面上，其中一個或多個附加層被布置在所暗示的側或表面與所形成的層之間。

各種實施例提供用于功率芯片封裝的芯片外殼，其中可以改進功率芯片封裝（諸如芯片灌封材料）的成本和性能。

圖2示出根據一個實施例用于制造芯片布置的方法200。該方法200可以包括：

-將芯片設置在載體之上，所述芯片包括一個或多個接觸焊盤，其中所述一個或多個接觸焊盤的第一接觸焊盤電接觸到所述載體（在210中）；

-利用第一灌封材料至少部分包圍所述芯片（在220中）；以及

-利用第二灌封材料至少部分包圍所述第一灌封材料（在230中）。

圖3示出根據各種實施例的芯片布置302的側視圖310。

芯片布置322可以包括載體304。芯片302（例如半導體管芯）可以被設置在載體304之上。芯片302可以包括一個或多個接觸焊盤，其中該一個或多個接觸焊盤的第一接觸焊盤314A可以電接觸到載體304。芯片302可以至少部分地被第一灌封材料316包圍。第一灌封材料316可以至少部分地被第二灌封材料318包圍。

圖4A至4D示出根據各種實施例用于制造芯片布置322的方法400的圖示。

圖4A的橫截面視圖410示出根據一個實施例的芯片302。芯片302可以包括半導體器件（例如半導體管芯）。芯片302可以包括已經經歷前端處理（比如前端線（FEOL，front end of line）工藝和后端線（BEOL，back end of line）處理）以在半導體晶圓中形成一個或多個電器件的芯片。芯片302可以包括在FEOL工藝期間形成的電活性注入區（例如源極區和/或漏極區和/或柵極區和/或柵極氧化物區）和在BEOL工藝期間形成的電互連和/或金屬層和/或接觸焊盤。

芯片302可以包括導電的一個或多個接觸焊盤。例如，接觸焊盤可以包括銅和鋁中的至少一個。第一接觸焊盤314A可以被形成在芯片302的底側324之上。一個或多個接觸焊盤的第二接觸焊盤314B可以被形成在芯片302的頂側326之上。