[發明專利]一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法

在審

• 申請號: 201310567780.3
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN103641332A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 陳路玉
• 申請（專利權）人: 中山市創科科研技術服務有限公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36
• 代理公司: 中山市銘洋專利商標事務所(普通合伙) 44286
• 代理人: 吳劍鋒

技術領域

本發明涉及一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法。

背景技術

低輻射玻璃是指對紅外輻射具有高反射率，對可見光具有良好透射率的平板鍍膜玻璃。低輻射玻璃具有良好的透光、保溫、隔熱性能，廣泛應用于窗戶、爐門、冷藏柜門等地方。

目前市場上較常見的低輻射玻璃有單銀低輻射玻璃、雙銀低輻射玻璃、熱控低輻射玻璃及鈦基低輻射玻璃等。現有的這四種低輻射玻璃在380～780納米的可見光波長范圍內透射率不夠高，僅為50％左右；在紅外輻射波長范圍內透射率較高，尤其是在900～1100納米的波長范圍內透射率為10～20％之間。故此，現有的透明玻璃基材有待于進步完善。

發明內容

本發明的目的是為了克服現有技術中的不足之處，提供一種工藝簡單，操作方便，生產成本相對較低的金色雙銀LOW-E膜的制備。

為了達到上述目的，本發明采用以下方案：

一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

A、采用氧氣作為反應氣體，氬氣作為保護氣體，直流電源濺射不銹鋼平面靶，在玻璃基板上磁控濺射SSTO_x層；

B、采用氮氣作為反應氣體，氬氣作為保護氣體，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟A中SSTOx層上磁控濺射CrN_x層；

C、采用氬氣作為反應氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的CrN_x層上磁控濺射Ag層；

D、采用氬氣作為反應氣體，直流電源濺射銅平面靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射Si層；

E、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶，在步驟D中的Si層上磁控濺射AZO層；

F、采用氬氣作為反應氣體，直流電源濺射銅平面靶，在步驟E中的AZO層上磁控濺射Cu層；

G、采用氬氣作為反應氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶，在步驟F中的Cu層上磁控濺射AZO層；

H、采用氧氣作為反應氣體，氬氣作為保護氣體，交流電源濺射硅鋁合金旋轉靶，在步驟G中的AZO層上磁控濺射SiO₂層。

如上所述的一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，其特征在于步驟A中所述SSTOx層的厚度為30～45nm，所述氬氣與氧氣的體積比為1：2，所述直流電源濺的濺射功率為75～115KW，分兩個陰極濺射。

如上所述的一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，其特征在于步驟B中所述CrN_x層的厚度為3～5nm，氬氣與氮氣的體積比為1：2，所述直流電源濺射鉻平面靶的濺射功率3～6KW。

如上所述的一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，其特征在于步驟C中所述Ag層的厚度為8～10nm，所述的直流電源的濺射功率4～5KW。

如上所述的一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，其特征在于步驟D所述Si層的厚度為10～20nm，所述直流電源的濺射功率3～6KW。

如上所述的一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，其特征在于步驟E中所述AZO層的厚度為50～65nm，摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶中按質量百分比摻鋁2%，所述交流電的濺射功率50～65KW；用三個旋轉陰極濺射。

如上所述的一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，其特征在于步驟F中所述Cu層的厚度為8～10nm，所述直流電源的濺射功率為4～5KW。

如上所述的一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，其特征在于步驟G中所述AZO層的厚度為20～25nm，摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉靶中按質量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率為20～25KW。

如上所述的一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，其特征在于步驟H中所述SiO₂層的厚度為20～30nm，所述硅鋁合金旋轉靶中Si與Al的摩爾比為92:8，交流電源濺射功率為50～75KW。

綜上所述，本發明的有益效果：

本發明工藝方法簡單，操作方便，生產成本相對較低，膜層結構最少，陰極使用量少；節約成本；24K金色調，顏色鮮艷；用Ag及Cu替代Au大幅度降低成本。

具體實施方式

下面結合具體實施方式對本發明做進一步描述：

實施例1

本發明一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，包括以下步驟：