[發(fā)明專利]一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310567780.3
• 申請(qǐng)日: 2013-11-14
• 公開（公告）號(hào): CN103641332A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳路玉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司
• 主分類號(hào): C03C17/36
• 分類號(hào): C03C17/36
• 代理公司: 中山市銘洋專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44286
• 代理人: 吳劍鋒

1.一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

A、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射不銹鋼平面靶，在玻璃基板上磁控濺射SSTO_x層；

B、采用氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，直流電源濺射鉻平面靶，在步驟A中SSTO_x層上磁控濺射CrN_x層；

C、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銀平面靶，在步驟B中的CrN_x層上磁控濺射Ag層；

D、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銅平面靶，在步驟C中Ag層上磁控濺射Si層；

E、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟D中的Si層上磁控濺射AZO層；

F、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，直流電源濺射銅平面靶，在步驟E中的AZO層上磁控濺射Cu層；

G、采用氬氣作為反應(yīng)氣體，交流電源濺射摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶，在步驟F中的Cu層上磁控濺射AZO層；

H、采用氧氣作為反應(yīng)氣體，氬氣作為保護(hù)氣體，交流電源濺射硅鋁合金旋轉(zhuǎn)靶，在步驟G中的AZO層上磁控濺射SiO₂層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，其特征在于步驟A中所述SSTOx層的厚度為30～45nm，所述氬氣與氧氣的體積比為1：2，所述直流電源濺的濺射功率為75～115KW，分兩個(gè)陰極濺射。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，其特征在于步驟B中所述CrN_x層的厚度為3～5nm，氬氣與氮?dú)獾捏w積比為1：2，所述直流電源濺射鉻平面靶的濺射功率3～6KW。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，其特征在于步驟C中所述Ag層的厚度為8～10nm，所述的直流電源的濺射功率4～5KW。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，其特征在于步驟D所述Si層的厚度為10～20nm，所述直流電源的濺射功率3～6KW。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，其特征在于步驟E中所述AZO層的厚度為50～65nm，摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶中按質(zhì)量百分比摻鋁2%，所述交流電的濺射功率50～65KW；用三個(gè)旋轉(zhuǎn)陰極濺射。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，其特征在于步驟F中所述Cu層的厚度為8～10nm，所述直流電源的濺射功率為4～5KW。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，其特征在于步驟G中所述AZO層的厚度為20～25nm，摻鋁氧化鋅陶瓷旋轉(zhuǎn)靶中按質(zhì)量百分比摻鋁2%，所述交流電源的濺射功率為20～25KW。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低成本金色低輻射率薄膜的制備方法，其特征在于步驟H中所述SiO₂層的厚度為20～30nm，所述硅鋁合金旋轉(zhuǎn)靶中Si與Al的摩爾比為92:8，交流電源濺射功率為50～75KW。