[發(fā)明專利]制作非對稱FinFET的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310567526.3
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN104637817B
• 公開（公告）日: 2018-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓秋華;孟曉瑩
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 高偉,付偉佳

1.一種制作非對稱FinFET的方法，包括：

a)提供SOI襯底，所述SOI襯底包括半導體襯底、位于所述半導體襯底上的掩埋絕緣層以及位于所述掩埋絕緣層上的半導體材料層；

b)在所述半導體材料層中形成露出所述掩埋絕緣層的第一開口；

c)在所述第一開口內(nèi)露出的所述半導體材料層的側(cè)壁上形成第一介電層；

d)在所述半導體材料層中形成不同于第一開口的第二開口，其中所述第一開口和所述第二開口之間的半導體材料層形成為鰭片；以及

e)在所述第一開口內(nèi)的所述第一介電層上以及所述第二開口內(nèi)露出的所述半導體材料層的側(cè)壁上形成第二介電層，由此在鰭片的兩個側(cè)壁上分別形成由第一介電層、第二介電層共同構(gòu)成的柵極介電層，以及由第二介電層構(gòu)成的柵極介電層。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述b)步驟中形成所述第一開口的方法包括：

在所述半導體材料層上形成有圖案化的核心材料層；

在所述圖案化的核心材料層的側(cè)壁上形成間隙壁；

以所述圖案化的核心材料層和所述間隙壁為掩膜對所述半導體材料層進行第一刻蝕，以形成所述第一開口。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述圖案化的核心材料層的寬度為10nm到100nm，和/或所述圖案化的核心材料層的厚度為20nm到200nm。

4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述圖案化的核心材料層為氮化物。

5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述d)步驟中形成所述第二開口的方法包括：

去除所述圖案化的核心材料層；

以所述間隙壁為掩膜對所述半導體材料層進行第二刻蝕，以形成所述第二開口。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二刻蝕為采用四甲基氫氧化銨溶液進行的濕法刻蝕。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述甲基氫氧化銨溶液的質(zhì)量百分比濃度為2％-20％。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體材料層中含有硅，所述第一介電層和所述第二介電層采用現(xiàn)場水汽生成退火和快速熱處理中至少一種形成的。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介電層的厚度為10A-100A，和/或所述第二介電層的厚度為5A-50A。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體材料層為110面的絕緣體上硅。