[發明專利]存儲器陣列結構與其操作方法與制造方法

在審

• 申請號: 201310567342.7
• 申請日: 2013-11-13
• 公開（公告）號: CN104637520A
• 公開（公告）日: 2015-05-20
• 發明（設計）人: 陳士弘
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C7/18
• 分類號: G11C7/18;H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種存儲器陣列結構，包括：

一環形電路圖案，包括多條字線，其中每該字線為環形；

一陣列區，包括

一第一陣列，包括一部分這些字線、一第一接地選擇線與一第一串行選擇線，該第一接地選擇線與該第一串行選擇線位于這些字線的兩側；

一第二陣列，包括另一部分這些字線、一第二接地選擇線與一第二串行選擇線，該第二接地選擇線與該第二串行選擇線位于這些字線的兩側；及

多條位線，位于該第一陣列與該第二陣列并跨越該第一陣列與該第二陣列；以及

一接觸區，具有多個接觸點，其中這些字線透過這些接觸點與一外部電路電性連接。

2.根據權利要求1所述的陣列結構，更包括：

多條第一金屬線，設置于該環形電路圖案之上，其中每該字線透過這些接觸點與兩條不同的這些第一金屬線電性連接；及

多條第二金屬線，設置于這些第一金屬線之上，這些第二金屬線與這些第一金屬線電性連接。

3.根據權利要求2所述的陣列結構，更包括：

多個貫孔，其中這些第二金屬線透過這些貫孔與這些第一金屬線電性連接。

4.根據權利要求3所述的陣列結構，其中每該字線對應于兩個貫孔。

5.根據權利要求2所述的陣列結構，包括：

至少六個該接觸區，具有多個接觸點，其中每該字線透過兩個不同的該接觸區的接觸點，與這些第一金屬線電性連接。

6.根據權利要求2所述的陣列結構，包括多個該環形電路圖案。

7.根據權利要求6所述的陣列結構，其中每該環形電路圖案對應于兩條這些第二金屬線。

8.一種存儲器陣列結構的操作方法，其中該存儲器陣列結構包括：

一環形電路圖案，包括多條字線，其中每該字線為環形；

一陣列區，包括

一第一陣列，包括一部分這些字線、一第一接地選擇線與一第一串行選擇線，該第一接地選擇線與該第一串行選擇線位于這些字線的兩側；

一第二陣列，包括另一部分這些字線、一第二接地選擇線與一第二串行選擇線，該第二接地選擇線與該第二串行選擇線位于這些字線的兩側；及

多條位線，位于該第一陣列與該第二陣列并跨越該第一陣列與該第二陣列；以及

一接觸區，具有多個接觸點，其中這些字線透過這些接觸點與一外部電路電性連接；

該存儲器陣列結構的操作方法包括：

施加一供應電壓至該第一串行選擇線與該第二串行選擇線；

選擇該第一陣列與該第二陣列其中之一為一選定陣列，其中之另一為一非選定陣列；

將該非選定陣列中的串行選擇線的電壓變為0，使得該非選定陣列的導電通道為浮動；以及

將一選定的位線的電壓變為0，其他未選定的位線維持浮動；

其中該選定陣列中的字線具有一操作電壓，該非選定陣列的字線具有一導通電壓，以防止非選定陣列的字線進行操作。

9.一種存儲器陣列結構的制造方法，包括：

提供一圖案化掩模層于一電極層上；

沉積一間隔層于該圖案化掩模層與該電極層上；

圖案化該間隔層，以形成至少一間隔物于該圖案化掩模層的側壁；

移除該圖案化掩模層；

形成一圖案化光刻膠層于該電極層上；以及

通過該間隔物與該圖案化光刻膠層刻蝕該電極層，以形成一環形電路圖案以及一第一接地選擇線、一第一串行選擇線、一第二接地選擇線與一第二串行選擇線；

其中，該環形電路圖案包括多條字線，這些字線不經過一裁切工藝，使得每條字線皆為一連續的封閉圖形。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其中圖案化該間隔層的步驟，包括：

刻蝕并移除平行于該電極層的該間隔層，使得該圖案化掩模層的上表面露出。