[發明專利]用來進行靜電放電保護的方法與裝置

有效

• 申請號: 201310567332.3
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN104576636B
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 張子恒;蔡富義;蔡佳谷
• 申請（專利權）人: 智原科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H02H9/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 史新宏

本發明提供一種用來進行靜電放電保護的方法以及相關的裝置，該方法應用于一電子裝置，該方法包含有：利用多個金屬氧化物半導體場效應晶體管所形成的一觸發源，來觸發一放電運作，其中該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管中的任一金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極與漏極彼此電氣連接，使該金屬氧化物半導體場效應晶體管被用來作為一個二端子元件，以及分別被用來作為二端子元件的該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管是以串聯的方式連接；以及利用一靜電放電裝置，因應該觸發源的觸發來進行該放電運作，以對該電子裝置進行靜電放電保護。

技術領域

本發明涉及靜電放電（Electrostatic Discharge,ESD），特別是涉及一種用來進行靜電放電保護的方法以及相關的裝置。

背景技術

依據相關技術，陸續提出了一些新的半導體制造工藝。然而，某些問題就產生了。例如：柵極的氧化層的厚度可能減少，使得芯片變得很容易被靜電放電損壞。又例如：在一特定的制造工藝中，氧化層崩潰電壓（Oxide Breakdown Voltage）可能很接近結面崩潰電壓（Junction Breakdown Voltage），故傳統的靜電放電保護架構變得很難使用。因此，需要一種新穎的方法以在不產生副作用的狀況下加強靜電放電保護的效能，尤其是使靜電放電保護架構具備較低的觸發電壓與維持電壓（Holding Voltage），以保護先進技術中的超薄的氧化層。

發明內容

因此，本發明的一目的在于提供一種用來進行靜電放電（ElectrostaticDischarge,ESD）保護的方法以及相關的裝置，以解決上述問題。

本發明的另一目的在于提供一種用來進行靜電放電保護的方法以及相關的裝置，以提升靜電放電保護的效能并節省相關成本。

本發明的至少一較佳實施例中提供一種用來進行靜電放電保護的方法，該方法應用于一電子裝置，該方法包含有下列步驟：利用多個金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET）所形成的一觸發源，來觸發一放電運作，其中該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管中的任一金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極與漏極彼此電氣連接，使該金屬氧化物半導體場效應晶體管被用來作為一個二端子元件，以及分別被用來作為二端子元件的該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管是以串聯的方式連接；以及利用一靜電放電裝置，因應該觸發源的觸發來進行該放電運作，以對該電子裝置進行靜電放電保護。

本發明于提供上述方法的同時，亦對應地提供一種用來進行靜電放電保護的裝置，其中該裝置包含一電子裝置的至少一部分。該裝置包含有：多個金屬氧化物半導體場效應晶體管所形成的一觸發源；以及一靜電放電裝置，耦接至該觸發源。尤其是，該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管中的任一金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極與漏極彼此電氣連接，使該金屬氧化物半導體場效應晶體管被用來作為一個二端子元件，以及分別被用來作為二端子元件的該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管是以串聯的方式連接。另外，該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管所形成的該觸發源用來觸發一放電運作。此外，該靜電放電裝置用來因應該觸發源的觸發來進行該放電運作，以對該電子裝置進行靜電放電保護。

本發明的好處之一是，相較于相關技術，本發明的方法與相關裝置可提升靜電放電保護的反應速度。因此，本發明提供較相關技術更佳的效能。

本發明的另一好處是，相較于相關技術，本發明的方法與相關裝置可減少芯片面積。因此，本發明提供可節省相關成本。

附圖說明

圖1為依據本發明一第一實施例的一種用來進行靜電放電（ElectrostaticDischarge,ESD）保護的裝置的示意圖。

圖2繪示本發明的一實施例中關于圖1所示的裝置于一電子裝置中的位置安排。

圖3為依據本發明一實施例的一種用來進行靜電放電保護的方法的流程圖。