[發明專利]用來進行靜電放電保護的方法與裝置

有效

• 申請號: 201310567332.3
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN104576636B
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 張子恒;蔡富義;蔡佳谷
• 申請（專利權）人: 智原科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H02H9/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 史新宏

1.一種用來進行靜電放電保護的方法，該方法應用于一電子裝置，該方法包含有下列步驟：

利用多個金屬氧化物半導體場效應晶體管所形成的一觸發源，來觸發一放電運作，其中該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管中的每一個金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極與漏極彼此電氣連接，使該每一個金屬氧化物半導體場效應晶體管均被用來作為一個二端子元件，以及分別被用來作為二端子元件的該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管是以串聯的方式連接；以及

利用一靜電放電裝置，因應該觸發源的觸發來進行該放電運作，以對該電子裝置進行靜電放電保護，其中以串聯的方式連接的分別被用來作為二端子元件的該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管所形成的一整串金屬氧化物半導體場效應晶體管的頭尾兩端子分別和該靜電放電裝置的兩端子直接電氣連接。

2.如權利要求1所述的方法，其中該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管包含至少一N型金屬氧化物半導體場效應晶體管。

3.如權利要求2所述的方法，其中該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管包含至少一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管。

4.如權利要求1所述的方法，其中該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管包含至少一P型金屬氧化物半導體場效應晶體管。

5.如權利要求1所述的方法，其中該靜電放電裝置包含一金屬氧化物半導體場效應晶體管、一硅控整流器、一場氧化層元件、或一雙載流子結面晶體管。

6.如權利要求1所述的方法，其中該靜電放電裝置和該觸發源是以并聯的方式連接。

7.如權利要求6所述的方法，其中該靜電放電裝置的該兩端子分別電氣連接至該電子裝置中的兩特定端子，且該觸發源的兩端子分別電氣連接至該電子裝置中的該兩特定端子，其中該觸發源的該兩端子分別是所述一整串金屬氧化物半導體場效應晶體管的頭尾兩端子；以及該放電運作包含該兩特定端子之間的放電。

8.如權利要求1所述的方法，其中該靜電放電裝置包含一金屬氧化物半導體場效應晶體管，其柵極與源極彼此電氣連接；以及該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管中的每一金屬氧化物半導體場效應晶體管的氧化層的厚度大于該靜電放電裝置中的該金屬氧化物半導體場效應晶體管的氧化層的厚度。

9.如權利要求1所述的方法，其中利用該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管所形成的該觸發源來觸發該放電運作的步驟還包含：

利用該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管，因應施加于該觸發源的電性應力來產生一通道電流，以觸發該放電運作。

10.如權利要求9所述的方法，其中該靜電放電裝置包含一金屬氧化物半導體場效應晶體管，其柵極與源極彼此電氣連接；以及該通道電流改變該靜電放電裝置中的該金屬氧化物半導體場效應晶體管的基極電位，使得該靜電放電裝置中的該金屬氧化物半導體場效應晶體管的一寄生的雙載流子結面晶體管被開啟，以進行該放電運作。

11.一種用來進行靜電放電保護的裝置，該用來進行靜電放電保護的裝置包含一電子裝置的至少一部分，該用來進行靜電放電保護的裝置包含有：

多個金屬氧化物半導體場效應晶體管所形成的一觸發源，用來觸發一放電運作，其中該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管中的每一個金屬氧化物半導體場效應晶體管的柵極與漏極彼此電氣連接，使該每一個金屬氧化物半導體場效應晶體管均被用來作為一個二端子元件，以及分別被用來作為二端子元件的該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管是以串聯的方式連接；以及

一靜電放電裝置，耦接至該觸發源，用來因應該觸發源的觸發來進行該放電運作，以對該電子裝置進行靜電放電保護，其中以串聯的方式連接的分別被用來作為二端子元件的該多個金屬氧化物半導體場效應晶體管所形成的一整串金屬氧化物半導體場效應晶體管的頭尾兩端子分別和該靜電放電裝置的兩端子直接電氣連接。