[發明專利]多接觸孔的形成方法

無效

• 申請號: 201310566696.X
• 申請日: 2013-11-13
• 公開（公告）號: CN103560109A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 朱科奇
• 申請（專利權）人: 寧波市鄞州科啟動漫工業技術有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/311
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

????本發明涉及一種孔的形成方法，特別是一種多接觸孔的形成方法。

背景技術

??本發明一般涉及用于制造半導體裝置的方法，例如，在非易失性存儲器陣列中形成接觸孔的方法。在傳統圖案中，如雙打印，低于38納米的分辨率是無法實現的。接近24納米接觸孔的分辨率的可替代的技術是非常困難的，并且涉及使用2列交錯的陣列。要執行更小孔的圖案，如低于22納米，可能需要3排交錯陣列，其產生額外的困難，如增加依賴于光學鄰近校正和子分辨率輔助特征。

發明內容

本發明的目的在于提供了一種多接觸孔的形成方法，用以解決上述的現有問題。

????本發明的技術方案如下：一種多接觸孔的形成方法，其特征在于：該方法包含有一形成于基板上的下層，下層可包括第二硬模層、一下硬模層，一設備層，或它們的組合，設備層可由任何合適的材料制成；第二硬模層可由任何合適的硬掩模材料組成，第二硬模層由與第一硬模層的材料不同的材料組成，且第二硬模層可具有任何合適的厚度；第一硬模層上形成有包含至少一個第一特征和至少一個第二特征的多個間隔開的特征層。

????特征層上形成有第一隔離層，其由與特征層的材料不同的材料組成。

????第一隔離層可被蝕刻形成第一間隔圖案。

????第一間隔圖案顯呈現為多個間隔件殼，其限定了第一壁和與之相對的第二壁。

????該方法中可形成有一蓋掩模，蓋掩模可包括至少一個間隔開的蓋掩模材料的第一帶狀部分和第二帶狀部分，還包括有形成在下層上的蓋掩模材料的第三帶狀部分和形成在下層之上的蓋掩模材料的第四帶狀部分。

第一硬模層被蝕刻的暴露部分形成多個接觸孔。

蓋掩模可包括有條帶狀部分、條帶狀部分二、條帶狀部分三。

本發明的有益效果是：操作簡單，形成容易，提高了生產工作的效率，減少了步驟。

附圖說明

??圖1至6是示出根據本發明的一個實施例的形成設備的階段側剖視圖；

??圖7至12分別是圖1至6所示的結構的頂視圖；

??圖13至14是示出根據本發明的另一個實施例的形成設備的階段的側面剖視圖；

??圖15至16分別是圖13至14所示的結構的頂視圖；

??圖中標示：100、基板，200、下層，210、設備層，220、下硬模層，230、第二硬模層，300、第一硬模層，303、接觸孔，401、特征層，402、第一特征，403、第二特征，500、第一隔離層，502、第一間隔圖案，510、第一壁，511、第二壁，602、蓋掩模，603、第一帶狀部分，604、第二帶狀部分，605、第三帶狀部，606、第四帶狀部，607、條帶狀部分，608、條帶狀部分二，609、條帶狀部分三。

具體實施方式

結合附圖，對本發明作進一步詳細說明。

????本發明一種多接觸孔的形成方法，其特征在于：該方法包含有一形成于基板100上的下層200，下層200可包括第二硬模層230、一下硬模層220，一設備層210，或它們的組合，設備層210可由任何合適的材料制成；第二硬模層230可由任何合適的硬掩模材料組成，第二硬模層230由與第一硬模層300的材料不同的材料組成，且第二硬模層230可具有任何合適的厚度；第一硬模層300上形成有包含至少一個第一特征402和至少一個第二特征403的多個間隔開的特征層401。特征層401上形成有第一隔離層500，其由與特征層401的材料不同的材料組成。第一隔離層500可被蝕刻形成第一間隔圖案502。第一間隔圖案502顯呈現為多個間隔件殼，其限定了第一壁510和與之相對的第二壁511。該方法中可形成有一蓋掩模602，蓋掩模602可包括至少一個間隔開的蓋掩模材料的第一帶狀部分603和第二帶狀部分604，還包括有形成在下層上的蓋掩模材料的第三帶狀部分605和形成在下層之上的蓋掩模材料的第四帶狀部分606。第一硬模層300被蝕刻的暴露部分形成多個接觸孔303。蓋掩模602可包括有條帶狀部分607、條帶狀部分二608、條帶狀部分三609。該方法中可使用間隔件殼的技術，和蓋掩模來形成接觸孔圖案，孔305可以交錯結構形成，每個孔可位于相應的雙鑲嵌型溝槽307中。