[發明專利]多接觸孔的形成方法無效
| 申請號: | 201310566696.X | 申請日: | 2013-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN103560109A | 公開(公告)日: | 2014-02-05 |
| 發明(設計)人: | 朱科奇 | 申請(專利權)人: | 寧波市鄞州科啟動漫工業技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 315192 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接觸 形成 方法 | ||
1.一種多接觸孔的形成方法,其特征在于:
?????該方法包含有一形成于基板(100)上的下層(200),下層(200)可包括第二硬模層(230)、一下硬模層(220),一設備層(210),或它們的組合,設備層(210)可由任何合適的材料制成;
?????第二硬模層(230)可由任何合適的硬掩模材料組成,第二硬模層(230)由與第一硬模層(300)的材料不同的材料組成,且第二硬模層(230)可具有任何合適的厚度;
?第一硬模層(300)上形成有包含至少一個第一特征(402)和至少一個第二特征(403)的多個間隔開的特征層(401)。
2.根據權利要求1所述的一種多接觸孔的形成方法,其特征在于:特征層(401)上形成有第一隔離層(500),其由與特征層(401)的材料不同的材料組成。
3.根據權利要求2所述的一種多接觸孔的形成方法,其特征在于:第一隔離層(500)可被蝕刻形成第一間隔圖案(502)。
4.根據權利要求3所述的一種多接觸孔的形成方法,其特征在于:第一間隔圖案(502)顯呈現為多個間隔件殼,其限定了第一壁(510)和與之相對的第二壁(511)。
5.根據權利要求1所述的一種多接觸孔的形成方法,其特征在于:該方法中可形成有一蓋掩模(602),蓋掩模(602)可包括至少一個間隔開的蓋掩模材料的第一帶狀部分(603)和第二帶狀部分(604),還包括有形成在下層上的蓋掩模材料的第三帶狀部分(605)和形成在下層之上的蓋掩模材料的第四帶狀部分(606)。
6.根據權利要求1所述的一種多接觸孔的形成方法,其特征在于:第一硬模層(300)被蝕刻的暴露部分形成多個接觸孔(303)。
7.根據權利要求5所述的一種多接觸孔的形成方法,其特征在于:蓋掩模(602)可包括有條帶狀部分(607)、條帶狀部分二(608)、條帶狀部分三(609)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





