[發(fā)明專利]晶圓邊緣厚度量測穩(wěn)定性監(jiān)控方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310566459.3
• 申請日: 2013-11-13
• 公開（公告）號: CN103560098A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱陸君;倪棋梁;陳宏璘
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種晶圓邊緣厚度量測穩(wěn)定性監(jiān)控方法。

背景技術(shù)

隨著集成電路工藝的發(fā)展和機臺性能的不斷提高，工廠對晶圓邊緣的缺陷情況越來越注重。一般，工廠會利用諸如CV300R檢測機臺之類的檢測設(shè)備對晶圓邊緣在諸如EBR（邊緣球狀物去除，edge-bead?rinsing）和WEE（Wafer?edge?exposure，晶圓邊緣曝光）之類的工藝步驟后進行缺陷檢測，這是一種快速有效的工藝步驟品質(zhì)監(jiān)控方法。因此，保證檢測機臺自身穩(wěn)定性和精確性顯得至關(guān)重要。

但是，業(yè)內(nèi)CV300R采用的自身檢測方法過于簡單，無法實際反映機臺自身的穩(wěn)定性和精確性。

具體地說，目前CV300R采用的自身檢測方法是通過使用與機臺匹配的標準片，該標準片的正面、側(cè)面和背面均包含一定數(shù)目的微粒（particle），并且在晶圓表面是無法移動的。機臺通過日常檢測獲得三個面1um大小的微粒總數(shù)目,將測量得到的1um大小的微粒數(shù)值比上1um大小的微粒基準數(shù)目，其比值結(jié)果在（90%，110%）之間時表示機臺符合跑貨標準，機臺可以正常使用。在這種檢測方法下，檢測結(jié)果只能反映機臺對顆粒狀缺陷的捕捉能力，而無法體現(xiàn)出對于晶圓邊緣厚度檢測的穩(wěn)定性。

因此，希望能夠提供一種能夠監(jiān)控晶圓邊緣厚度量測穩(wěn)定性的方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種晶圓邊緣厚度量測穩(wěn)定性監(jiān)控方法。

為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種晶圓邊緣厚度量測穩(wěn)定性監(jiān)控方法，其包括：

第一步驟，通過在裸片晶圓上生長一層具有特定厚度的氧化物層來制作標準片；

第二步驟，利用檢測設(shè)備對所述標準片進行預定次數(shù)的掃描以獲取整個晶圓邊緣厚度，將每次掃描得到整個晶圓邊緣厚度的最大值、最小值和平均值分別進行算術(shù)平均，從而獲取最大厚度基準值、最小厚度基準值和平均厚度基準值；

第三步驟，在實際的檢測時利用檢測設(shè)備對所述標準片進行掃描以獲取整個晶圓邊緣厚度，分別得到整個晶圓邊緣厚度的最大厚度檢測值、最小厚度檢測值和平均厚度檢測值；

第四步驟，求取最大厚度基準值與最大厚度檢測值之差的絕對值作為最大厚度偏差度，求取最小厚度基準值與最小厚度檢測值之差的絕對值作為最小厚度偏差度，并求取平均厚度基準值與平均厚度檢測值之差的絕對值作為平均厚度偏差度；

第五步驟，判斷最大厚度偏差度是否小于第一閾值、并且最大厚度偏差度小于第二閾值、并且平均厚度偏差度小于第三閾值，而且根據(jù)判斷結(jié)果來確定晶圓邊緣厚度量測穩(wěn)定性。

優(yōu)選地，所述氧化物層為二氧化物層。

優(yōu)選地，所述特定厚度為10000μm。

優(yōu)選地，在第二步驟中，所述預定次數(shù)不小于5次，而且所述預定次數(shù)不大于20次。

優(yōu)選地，所述預定次數(shù)為10次。

優(yōu)選地，第一閾值、第二閾值和第三閾值相等。

優(yōu)選地，第一閾值、第二閾值和第三閾值均等于20μm。

附圖說明

結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中：

圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的晶圓邊緣厚度量測穩(wěn)定性監(jiān)控方法的流程圖。

需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。

具體實施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進行詳細描述。

本發(fā)明原理是利用裸片晶圓（bare?wafer）上生長一層氧化物，以作為機臺檢測的標準片。然后在檢測設(shè)備上連續(xù)多次掃描，將每次掃描得到整個晶圓邊緣厚度的最大、最小和平均值進行算術(shù)平均，將計算得到的算術(shù)平均值和這片晶圓作為厚度量測穩(wěn)定性的標準值。在實際的檢測時，利用檢測設(shè)備對標準片進行掃描，分別得到整個晶圓邊緣厚度的最大值、最小值和平均值并與標準值作比較，并將差值用于確定檢測設(shè)備的偏差度。這樣，通過偏差度可以更加直觀的檢測到檢查設(shè)備檢測厚度的穩(wěn)定性和精確性。

具體地說，圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的晶圓邊緣厚度量測穩(wěn)定性監(jiān)控方法的流程圖。

如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的晶圓邊緣厚度量測穩(wěn)定性監(jiān)控方法包括：

第一步驟S1，通過在裸片晶圓上生長一層具有特定厚度的氧化物層來制作標準片；