[發明專利]晶圓邊緣厚度量測穩定性監控方法無效
| 申請號: | 201310566459.3 | 申請日: | 2013-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN103560098A | 公開(公告)日: | 2014-02-05 |
| 發明(設計)人: | 朱陸君;倪棋梁;陳宏璘 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 陸花 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 邊緣 厚度 穩定性 監控 方法 | ||
1.一種晶圓邊緣厚度量測穩定性監控方法,其特征在于包括:
第一步驟,通過在裸片晶圓上生長一層具有特定厚度的氧化物層來制作標準片;
第二步驟,利用檢測設備對所述標準片進行預定次數的掃描以獲取整個晶圓邊緣厚度,將每次掃描得到整個晶圓邊緣厚度的最大值、最小值和平均值分別進行算術平均,從而獲取最大厚度基準值、最小厚度基準值和平均厚度基準值;
第三步驟,在實際的檢測時利用檢測設備對所述標準片進行掃描以獲取整個晶圓邊緣厚度,分別得到整個晶圓邊緣厚度的最大厚度檢測值、最小厚度檢測值和平均厚度檢測值;
第四步驟,求取最大厚度基準值與最大厚度檢測值之差的絕對值作為最大厚度偏差度,求取最小厚度基準值與最小厚度檢測值之差的絕對值作為最小厚度偏差度,并求取平均厚度基準值與平均厚度檢測值之差的絕對值作為平均厚度偏差度;
第五步驟,判斷最大厚度偏差度是否小于第一閾值、并且最大厚度偏差度小于第二閾值、并且平均厚度偏差度小于第三閾值,而且根據判斷結果來確定晶圓邊緣厚度量測穩定性。
2.根據權利要求1所述的晶圓邊緣厚度量測穩定性監控方法,其特征在于,所述氧化物層為二氧化物層。
3.根據權利要求1或2所述的晶圓邊緣厚度量測穩定性監控方法,其特征在于,所述特定厚度為10000μm。
4.根據權利要求1或2所述的晶圓邊緣厚度量測穩定性監控方法,其特征在于,在第二步驟中,所述預定次數不小于5次,而且所述預定次數不大于20次。
5.根據權利要求4所述的晶圓邊緣厚度量測穩定性監控方法,其特征在于,所述預定次數為10次。
6.根據權利要求1或2所述的晶圓邊緣厚度量測穩定性監控方法,其特征在于,第一閾值、第二閾值和第三閾值相等。
7.根據權利要求1或2所述的晶圓邊緣厚度量測穩定性監控方法,其特征在于,第一閾值、第二閾值和第三閾值均等于20μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





