[發明專利]CMOS感光器件接觸孔刻蝕方法及CMOS感光器件制造方法無效
| 申請號： | 201310566396.1 | 申請日： | 2013-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN103560137A | 公開（公告）日： | 2014-02-05 |
| 發明（設計）人： | 李程;吳敏;楊渝書;秦偉;黃海輝;高慧慧 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cmos 感光 器件 接觸 刻蝕 方法 制造 | ||
1.一種CMOS感光器件接觸孔刻蝕方法，其特征在于包括：
步驟一：對包含氧化硅和氮化硅的層間介質層執行主刻蝕，以刻蝕層間介質層；
步驟二：執行層間介質層過刻蝕，以進一步刻蝕層間介質層，其中，氧化硅和氮化硅的刻蝕速率分別小于步驟一中的氧化硅和氮化硅的刻蝕速率，并且其中氧化硅刻蝕速率大于氧化硅刻蝕速率；
步驟三：執行去膠；
步驟四：執行刻蝕阻擋層刻蝕，用于打開層間介質層刻蝕階段的刻蝕阻擋層，使接觸孔到達底部的鎳硅化物層；
步驟五：執行聚合物去除，用以清除刻蝕阻擋層刻蝕過程中等離子體與氮化硅形成的富碳氟的聚合物；
步驟六：執行氧化硅去除步驟，用于刻蝕像素區域硅柵和有源區域上方的氧化硅層。
2.根據權利要求1所述的CMOS感光器件接觸孔刻蝕方法，其特征在于還包括：步驟七，執行刻蝕后處理，用于聚合物清除或者刻蝕損傷修復。
3.根據權利要求1或2所述的CMOS感光器件接觸孔刻蝕方法，其特征在于，在步驟四中，氮化硅刻蝕速率大于氧化硅刻蝕速率。
4.根據權利要求1或2所述的CMOS感光器件接觸孔刻蝕方法，其特征在于，在步驟四中，氮化硅刻蝕速率至少是氧化硅刻蝕速率的2倍。
5.根據權利要求1或2所述的CMOS感光器件接觸孔刻蝕方法，其特征在于，在步驟四中，氮化硅刻蝕速率至少是氧化硅刻蝕速率的5倍。
6.一種CMOS感光器件制造方法，其采用了根據權利要求1至5之一所述的CMOS感光器件接觸孔刻蝕方法。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
