[發明專利]一種集成肖特基分裂柵型功率MOS器件的制造方法

無效

• 申請號: 201310563620.1
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN103594377A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 王穎;胡海帆;曹菲;劉云濤
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工程大學
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種集成肖特基分裂柵型功率金屬氧化物半導體MOS器件的制造方法，其特征在于，包括：

使用第一掩膜版對硅片進行溝槽刻蝕；

使用第二掩膜版對所述硅片進行P-離子注入和P+離子注入，其中，所述第二掩膜版進行P-離子注入時掩蓋住的區域下方為肖特基接觸區域；

使用第三掩膜版對所述硅片進行N+離子注入，其中，N+離子注入區域和P+離子注入區域沿臺面長度方向交替排列；

使用第四掩膜版在所述硅片上制作電極接觸孔；

使用第五掩膜版在所述硅片上進行金屬分離刻蝕；

使用第六掩膜版在所述硅片上進行光刻壓焊點。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，使用第一掩膜版對硅片進行溝槽刻蝕包括：

使用所述第一淹沒版在所述硅片上同時刻蝕出有源區溝槽與終端區溝槽。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述有源區溝槽與終端區溝槽通過所述電極接觸孔和所述第五掩膜版制作的金屬分離刻蝕實現連通短接。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的方法，其特征在于，所述器件的有源區中，溝槽結構包圍臺面結構，且所述臺面結構為規則條狀結構。